简介:测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO-1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。
简介:
简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出的电子产额随X-射线能量的变化,提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明,在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立,有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。
简介:软X射线干涉测量是通过软X射线激光经过马赫-詹德干涉仪完成的,是测量驱动激光临界面附近等离子体状态的重要方法。本文基于软X射线多层膜的性能特点,指出软X射线干涉测量的干涉仪各光学元件的入射角越接近正入射越好,分束镜的设计应以其反射率和透过率的乘积为衡量标准。用离子束溅射法制作了类镍银13.9nm软X射线激光干涉测量所需的分束镜,实测表明其面形精度达到纳米量级,反射率和透过率乘积大于1.6%。
简介:用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。
简介:测量了C60单晶(111)解理面法向发射的角分辨光电子谱。利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO-1的能带的色散关系。实验观察到HOMO和HOMO-1能带在Г-L方向存在明显的色散,最大色散分别为0.27eV和0.42eV色散曲线与理论电子结构基本符合。
简介:在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大。
简介:在C60单晶(III)解理面上制各出Rb3C60单晶薄膜.得到了室温和150K温度时导带的光电子谱峰形,费米面附近的电子态密度随温度显著变化.甚至在室温时也能观察到导带有不少于6个子峰.
简介:随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行,用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本文中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。
简介:对于x从0.0到0.4之间变化的Pt1-xSrxMnO3多晶体所进行的价带光电子能谱实验显示,在Fermi边和Fermi边以下-12eV范围内出现的能带态密度随掺杂量x有一个显著的变化。对这些现象以Pr1-xSrxMnO3体系在基态下发生电荷转移为出发点进行了讨论。提出了随掺杂量x的非线性电荷转移机制和存在由电荷转移导致的二级相变的可能性。
简介:根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶,并首次观察到K3C60的能带色散。
C60单晶电子结构的同步辐射光电子谱研究
SAXS法研究溶胶分形结构
测量XAFS谱的全电子产额技术
北京慢正电子强束流系统
用成像板探测正电子实验
SAXS法研究SiO2溶胶结构
软X射线激光用分束镜研究
用全电子产额技术测量薄膜材料的XAFS谱
^22Na低能单色正电子束流装置
北京同步辐射装置—北京正负电子对撞机概况
钙钛矿型氧化物薄膜电子结构的XPS研究
北京正负电子对撞机00—01年度运行
北京自由电子激光装置的现状及未来发展计划
C60单晶价带色散的同步辐射光电子谱研究
Co100—xMnx合金在CaAs(001)表面分子束外延的电子结构
K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究
Rb3C60单晶薄膜的同步辐射光电子谱研究
北京同步辐射光电子能谱实验站近期研究概况
Pr1—xSrxMnO3体系价带的光电子能谱研究
K3C60单晶膜制备及同步辐射光电子谱表征