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  • 简介:利用同步辐射掠入射常规X射线衍射,Si(001)衬底上自组织生长Ge量子点组分应变进行了研究。结果表明量子点为50%应变驰豫GeSi合金量子点,其Ge组分为0.55。此外在掠入射X射线衍射Si(220)峰高角旁观察到另外一个峰,对应于量子点周围衬底中由成岛引起压应变。

  • 标签: Si(001)衬底 自组织生长 Ge 量子点 组分 应变
  • 简介:本文描述了GdB5O9、NaGdF4合成结构以及NaGdF4在高温下相转变。粉末衍射数据表明GdB5O9属于四方晶系,其空间群为:I4l/acd,晶胞参数为:α=8.23813。c=33.6377。六方立方NaGdF4分别NaEuF4CaF2同构。本文还考察了GdB5O9:Eu、六方NaGdF4:Eu、立方NaGdF4:Eu样品真空紫外(VUV)荧光性质.上述三种样品中Gd3+4f-5d跃迁及基质吸收位于真空紫外波段。

  • 标签: 稀土硼酸盐 氟化物 结构 VUV荧光性质 粉末衍射 晶胞
  • 简介:本文测定了在高压条件下两种金属(钙锌)8-羟基喹啉络合晶体粉末样品发光行为原位x-光衍射光说。结果表明,压力其发光性质产生极大影响。随着压力增加,8-羟基喹啉钙发光强度在3GPa以内时大大增加。随后发光强度快速下降,到7GPa左右时几乎为零。而8-羟基喹啉锌发光随压力增加而逐渐降低,到7GPa左右时常压10%。高压下原位x-光衍射结果表明8-羟基喹啉钙晶体在3-4GPa开始发生非晶化相变,在7GPa时该非晶化相变完成,样品x-光衍射完全消失。而8-羟基喹啉锌在压力作用下(至16GPa)没有发生明显相变。

  • 标签: 高压条件 金属8-羟喹啉络合物 发光行为 晶体结构
  • 简介:作为BSRF改进项目的重要内容之一,为高压科学研究专用4W2光束线实验站屏蔽棚屋(HUTCH)已完成设计建造,于2002年冬季投入使用。高压站也由3WlA光束线移至4W2,实验设备进行了重新组装调整,并用户提供了部分机时。在科学院知识创新重要方向性项目的支持下,同步辐射高温高压实验平台建设正在进行,已完成了部分设备研制安装。光束线实验站将在光源质量设备性能上有一个很大提高,为获得高质量高压实验数据提供保障。

  • 标签: BSRF 实验站 光束线 高压站 数据
  • 简介:采用程序升温氮化方法制备了钼氮化催化剂,并用EXAFS方法研究了氮化前后Mo原子局域配位情况。负载MoO3样品径向结构函数中有三个峰其中前两个峰对应着最近Mo-O配位壳层,但是第一个峰第二个峰比例比晶体MoO3中比例大很多,表明分子筛负载MoO3具有更紧密结构。氮化以后,Mo2N样品径向结构函数中有三个峰,对应于一个Mo-N两个Mo-Mo配位壳层,面心立方模型符合很好。根据X射线衍射EXAFS谱计算表明,Mo2N中N原子使Mo-Mo键拉长并削弱。分子筛负载Mo2N样品具有非负载Mo2N样品相似的径向结构函数,只是对应于Mo-N壳层峰较弱,表明负载MoO3更难氮化。

  • 标签: Mo2N 分子筛负载 钼氮化物催化剂 EXAFS 结构 程序升温氮化
  • 简介:不同退火温度处理后纳米非晶态NiBNiP合金催化剂XAFSXRD结果表明,在300℃温度退火后,纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni晶态Ni3B中间态;纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定晶态NiNi3P。在500℃温度退火后,NiBNiP样品都晶化为金属Ni,但NiB样品中Ni原子周围局域结构金属Ni箔几乎相同,而NiP样品由于Ni原于受到元素P影响,生成晶态Ni结构有较大畸变,结构金属Ni相差很大。

  • 标签: XAFS方法 纳米非晶态合金 NiB合金 NiP合金 结构 镍硼合金
  • 简介:实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力释放导致享晶其它缺陷形成。由于缺陷形成在缺陷附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力(主要热应力),化学配比偏离杂质非均匀分布液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上孪晶。本文中讨论了上面提到孪晶模型实验证据如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。

  • 标签: INP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷
  • 简介:一年来,通过浙江越窑古青瓷,河北邢、定、井陉窑精细白瓷,陕西铜川黄堡窑河南巩县黄冶窑唐三彩,陕西西岳庙建筑古陶元素谱SRXRF无损分析数据进行了多元统计研究,结果表明古陶瓷中元素谱具有产地年代特征。通过无损分析,可能解决陶瓷考古界某些难以解决产地归属年代认定问题,并提供科学依据.

  • 标签: 古陶瓷 元素谱 SRXRF 产地 年代特征 无损分析
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,SiC体单晶结构进行了判定以及利用常压化学气相沉积(APCVD)生长3C-SiC/Si(001)中孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal缩写)结构3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC{111}极图在x=15.8°出现了衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002Mapping分析了x=15.8°处产生衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅
  • 简介:采用EXAFS方法研究了经中温等温和低温LN2处理2mol%Y2O3-ZrO2陶瓷中Zr^4+Y^3+离子近邻结构。结果表明,中温等温试样相比,LN2处理试样中Zr-O层Zr-Zr(Y)层配位数显著减少,平均键长明显缩短;Y-O层配位数减少,Y-Zr(Y)层平均键长伸长;各配位层畸变程度均增大。两个试样Y-O层配位数均高于Zr-O层配位数,表明点阵中氧空位倾向于Zr离子为邻。分析认为,该试样Zr-O配位层中较多氧空位主要来源于从高温快速冷却时所保留下来Schottky缺陷,四方相稳定性中温相变具有重要影响。

  • 标签: ZRO2陶瓷 近邻结构 EXAFS 氧化锆陶瓷 锆(Ⅳ) 钇(Ⅲ)
  • 简介:用微乳液法制备了表面经硬脂酸(ST)修饰4种不同价态钴氧化合纳米微粒。初步摸索了合成最佳条件,利用XRD,TEM,IR测试手段制备钴纳米催化剂相、粒子形貌粒度及钴氧化纳米微粒表面活性剂有机基团间结合方式进行了表征,结果表明制得纳米微粒呈球状、粒度随热处理温度升高而增大,COO-Co(Ⅱ,Ⅲ)离子间化学键相结合。利用流动法固定床反应器研究了钴氧化纳米催化剂N2O催化分解活性,实验结果表明,在350℃焙烧制得Co2O3纳米粒子N2O催化分解有较好催化活性。

  • 标签: 纳米催化剂 制备 钴氧化合物 纳米微粒 N2O 催化分解