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29 个结果
  • 简介:本文向用户扼要介绍了光束线3W1A及其实验站的辐射安全联锁系统的设计目的、设计思想、系统的功能作用和操作规则。本系统于1996年9月投入试运行,于1998年年底通过院级鉴定和验收。

  • 标签: BSRF 实验站 辐射安全联锁系统 储存环 3W1A光束线
  • 简介:阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程,并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻,得到了深度为500μm,深宽比达8.3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时,对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。

  • 标签: 微马达 LIGA技术 光刻 掩膜 电铸 同步辐射
  • 简介:在同步辐射3W1A新光束线上,用全反射荧光分析法(TXRF)进行了人体乳腺癌、肺癌、肝癌、胃癌、宫颈癌细胞凋亡前后的研究,得到了它们的在凋亡前后不同元素的荧光谱。从它们的结果可以看到,凋亡前后的细胞某些微量元素有了变化,甚至明显变化。这是否可从改变人体微量元素入手去研究和治疗癌症呢?

  • 标签: 细胞凋亡 同步辐射 TXRF 癌细胞 微量元素 荧光谱
  • 简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出的电子产额随X-射线能量的变化,提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明,在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立,有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

  • 标签: 测量 XAFS谱 全电子产额技术 同步辐射 X-射线吸收精细结构 磁控溅射
  • 简介:采用金刚石对顶压砧高压装置(DAC)、同步辐射X光源和能散法,对CsBr粉末样品进行了原位高压X光衍射实验,最高压力115GPa。观测到在53GPa左右压力下,CsBr的最强衍射峰(110)劈裂成两个峰,标志简单立方结构向四方结构的转变;在0至最高压力范围内(相应于V/V0为1至0.463)测量了晶轴比c/a;在115GPa内未观测到样品的金属化现象。

  • 标签: 结构 相变 CsBr 同步辐射 X射线衍射 溴化铯
  • 简介:利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪,建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量,表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明,Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外,还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

  • 标签: 同步辐射 X射线 实验技术 应用 掠入射衍射 表层结构
  • 简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

  • 标签: 17.5Kev同步辐射光 干涉技术 X射线干涉测量技术
  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

  • 标签: 同步辐射 X射线驻波实验技术 半导体超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 超薄锗厚子层
  • 简介:本文描述了GdB5O9、NaGdF4的合成结构以及NaGdF4在高温下的相转变。粉末衍射数据表明GdB5O9属于四方晶系,其空间群为:I4l/acd,晶胞参数为:α=8.23813。c=33.6377。六方和立方NaGdF4分别NaEuF4和CaF2同构。本文还考察了GdB5O9:Eu、六方NaGdF4:Eu、立方NaGdF4:Eu样品的真空紫外(VUV)荧光性质.上述三种样品中Gd3+的4f-5d跃迁及基质的吸收位于真空紫外波段。

  • 标签: 稀土硼酸盐 氟化物 结构 VUV荧光性质 粉末衍射 晶胞
  • 简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。

  • 标签: n周期多层膜 结构 巨磁电阻 磁控溅射 同步辐射掠入射X射线散射
  • 简介:利用电子衍射,X射线衍射和荧光光谱等方法研究了LnBaB0O16(Ln=La,Y)的结构特性,LnBaB9O16为单斜晶系,其中LaBaB9O16的晶胞参数a=1.3660nm,b=0.7882nm,c=1.6253nm,β=106.15°,YBaB9O16的晶胞参数a=1.3476nm,b=0.776nm,c=1.6040nm,β=106.38°,荧光光谱研究表明,这两种化合物结构不同,Y^3+在YBaB9O16结构中处于中心对称格位,而LaBaB9O16中La^3+的格位则无中心对称性,Gd^3+部分取代LaBaB9O16:Eu^3+中的La^3+可改善Eu^3+离子的发光性质,LaBaB9O16:Eu^3+在真空紫外区的吸收比较弱,这可能与硼氧比较小有关。

  • 标签: 荧光基质材料 硼酸盐 X射线衍射 实验