简介：首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫，在最经济的烟气脱硫温度窗口（120－250℃）显示出高的脱硫活性，考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化对硫脱活性的影响，并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明：经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧，前驱体Cu(NO3）2未完全分解：高于250℃煅烧，活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶，从而发生烧结，聚集，以上均导致脱硫剂活性的下降，尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异，但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在，其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

简介：工业半焦经850℃水蒸气活化，浓硝酸处理，等体积浸渍硝酸铜溶液，干燥，煅烧制得新型低温CuO/AC脱硫剂，考查了脱硫剂制备参数－载铜量对脱硫活性的影响，并对不同载铜量的脱硫剂进行了TPR，EXAFS，XRD等表征，结果表明，载铜量为5－15％（w)时，脱硫剂具有较高的脱硫活性；5％的载Cu量为AC（活性焦）表面发生单层覆盖的最大量，低于5％，活性组份CuO在AC表面高度分散，无体相CuO出现，但脱硫剂过低的活性组份含量，使得脱硫活性较低；高于5％时，CuO在AC表面发生多层覆盖，且随着载铜量的继续增加，活性组份矣集和内部微孔堵塞严重，致使脱硫活性出现明显下降。

简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

简介：评价了具有不同Ni/(Ni+W）原子比的NiW/γ－Al2O3催化剂加氢脱硫活性，对硫化态催化剂进行了EXAFS表征。结果表明，Ni(Ni+W)原子比为0．23的催化剂表面上WS2颗粒最小，有利于形成Ni-W-S加氢脱硫活性相，其反应活性最高。