简介：通过合成镧叶绿素a(La-Chla),研究稀土在叶绿素中的赋存状态。La-Chla的紫外可见光谱（UV－vis)、红外光谱（FT－IR）证实，镧离子已配位到叶绿素a的卟啉环上。其磁圆二色谱（MCD）在Soret带具有双层夹心卟啉结构的特征结构。通过扩展X射线吸收精细结构谱（EXAFS），采用双层夹心结构模型拟合，确定La周围的近邻结构，取得满意结果。表明合成镧叶绿素a具有双层夹心结构，La夹于两个卟啉环之间，与上下卟啉环上共八个N原子配位，La-N平均键长0.261nm。

简介：利用原子力显微镜，同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息，如发现铁电畴的明区要高于暗区，且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。