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12 个结果
  • 简介:成像板是一种新型的集成式面探测系统,近年来被广泛用于X光,特别是高强的同步辐射X光实验。为改善BSRF的探测条件和水平,最近BSRF购进了一套日本FujiFilm公司生产的BAS-2500成象板探测系统,提出供给广大用户使用。本文介绍了IP的工作原理、特性及应用,并对BSRF的IP探测系统作一简要介绍。

  • 标签: 成象板 面探测器 X射线 工作原理 应用
  • 简介:新型硅P-N结光电超二极管对光于能量响应范围已达到了X射线范围。它具有线性范围大,能量响应范围宽,量子效率高等优点,因而适用X射线之探测。本文介绍了以光电二板管构成同步辐射XAFS探测替代传统的电离探测组合的研究工作,给出了的探测结构设计,工作原理,实验结果及讨论。

  • 标签: XAFS实验 探测器 同步辐射 硅P-N结光电超二极管 结构设计 工作原理
  • 简介:本文描述了GdB5O9、NaGdF4的合成与结构以及NaGdF4在高温下的相转变。粉末衍射数据表明GdB5O9属于四方晶系,其空间群为:I4l/acd,晶胞参数为:α=8.23813。c=33.6377。六方和立方NaGdF4分别与NaEuF4和CaF2同构。本文还考察了GdB5O9:Eu、六方NaGdF4:Eu、立方NaGdF4:Eu样品的真空紫外(VUV)荧光性质.上述三种样品中Gd3+的4f-5d跃迁及基质的吸收位于真空紫外波段。

  • 标签: 稀土硼酸盐 氟化物 结构 VUV荧光性质 粉末衍射 晶胞
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济的烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高的脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化对硫脱活性的影响,并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性的下降,尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异,但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:工业半焦经850℃水蒸气活化,浓硝酸处理,等体积浸渍硝酸铜溶液,干燥,煅烧制得新型低温CuO/AC脱硫剂,考查了脱硫剂制备参数-载铜量对脱硫活性的影响,并对不同载铜量的脱硫剂进行了TPR,EXAFS,XRD等表征,结果表明,载铜量为5-15%(w)时,脱硫剂具有较高的脱硫活性;5%的载Cu量为AC(活性焦)表面发生单层覆盖的最大量,低于5%,活性组份CuO在AC表面高度分散,无体相CuO出现,但脱硫剂过低的活性组份含量,使得脱硫活性较低;高于5%时,CuO在AC表面发生多层覆盖,且随着载铜量的继续增加,活性组份矣集和内部微孔堵塞严重,致使脱硫活性出现明显下降。

  • 标签: 脱硫 CuO/AC脱硫剂 截铜量 脱硫活性
  • 简介:软X射线计量标准的建立和软X射线探测标定是目前国内急需解决的课题,本文简单介绍了两套北京同步辐射软X射线装置,它们主要用于软X射线光学元件测量和软X射线探测元、器件的标定。另外给出了近年来在软X射线测量装置上开展的计量标准和探测标定方面的研究结果。

  • 标签: 北京同步辐射软X射线装置 软X射线探测器 标定 软X射线 计量
  • 简介:目前,北京同步辐射装置4W1A束线的双晶单色存在着调节困难、单色光出口不固定等问题,本文对其中原因进行了讨论,并提出一种新型结构的双晶单色。此单色器具有调节简单、波长切换方便等优点,并实现了单色光固定出口。从而能够大大缩短调光时间,提高4W1A束线专用光的用光效率。

  • 标签: 北京同步辐射装置 4W1A束线 双晶单色器 用光效率
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅