简介：采用XAFS方法研究浸渍法制备并于低温焙烧的CuO／γ-A12O3催化剂的局域结构。对于CuO负载量小于单层分散阈值的CuO／γ-A12O3(0．4mmol／100m2)，结果表明CuO物种是以层状分散的孤立原子簇存在于γ-Al2O3载体表面，其第一近邻Cu-O配位环境的结构与晶态CuO的相似，键长和配位数分别为0．195nm和4。对于CuO负载量等于单层分散阈值的CuO／γ-A12O3(0．8mmol／100m。)，已有少量的CuO纳米颗粒生成。对于CuO负载量大于单层分散阀值的CuO／γ-A12O3(1．2mmol／100m2)，其结构与多晶CuO的相近。基于CuO在γ-A12O33载体上的三种不同分散状态的结构特点，我们提出了CuO／γ-A12O3催化剂的结构模型。

简介：

简介：本文利用X射线小角衍射和漫散射技术研究了两组具有不同GMR的NiFe/Cu多层膜样品的界面结构。利用在CuK吸收边附近的能量扫描得出了关于NiFe和Cu层的结晶性情况。结果表明两组样品在界面结构和结构性上有明显的区别。另外，我们还发现NiFe和Cu层的原子密度差别比块材料的差别大27％。

简介：用同步辐射原位高压能散X射线衍射技术，对碳纳米管进行了结构和物性的研究，压力达50．7GPa。在室温常压下，碳纳米管的结构和石墨的hcp结构相似，其（002)衍射线的面间距为d002=0.3404nm,(100)衍射线的面间距为d100=0.2116nm。从高压X射线衍射实验看到，当压力升到8GPa以上，（002）线变宽变弱，碳纳米管部分非晶化。而当压力从10GPa或20GPa卸压至零，（002）线部分恢复。但当压力升至最高压力50．7GPa时，碳纳米管完全非晶化，而且这个非晶化相变是不可逆的。我们用Birch-Murnaghan方程拟合实验数据，得到体弹模量为K0＝54．3±3．2GPa（当K’0＝4．0时）。

简介：本文扼要介绍了光束线真空控制保护系统的设计思想、设计要求、系统的作用和某些改进。此外，系统在设计了上采用了新技术－可编程序控制器（PLC），使控制系统的可靠性和灵活性得到了进一步的提高。研制这个系统的主要目的是，当光束线上出现（由铍窗或波纹管等偶然破裂引起的）灾难性真空事故时，能够有效地保护北京正负电子对撞机中的大型超高真空装置－电子储存环的真空系统不会遭到这种灾难的破坏，使其安全运行。本光束线的真空控制保护系统于1996年投入试运行，于1998年年底通过院级鉴定和验收。

简介：在同步辐射软X光能区（50－2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验，因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗，使得可以用简单的模型来分析实验结果，由实验测得的光电流，计算出硅光电二极管的量子效率，并求得入射同步辐射的光通量。

简介：本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置（BSRF）上的3W1高功率（总功率为2.54W）扭摆磁铁（Wiggler)光束线（包括前端区、3W1A和3W1B）而设计和建造的。主要建造目的是，保护北京正负电子对撞机（BEPC）电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏，以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外，在活动水冷挡光罩关闭之前，为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏，在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃的钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠的真空控制保护系统，系统设计是以F1－60MR型可编程序控制器（PLC）为基础的，PLC负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统的设计。