简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

简介：

简介：不同退火温度处理后的纳米非晶态NiB和NiP合金催化剂XAFS和XRD的结果表明，在300℃温度退火后，纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni和晶态Ni3B中间态；纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定的晶态Ni和Ni3P。在500℃温度退火后，NiB和NiP样品都晶化为金属Ni，但NiB样品中的Ni原子周围的局域结构与金属Ni箔的几乎相同，而NiP样品由于Ni原于受到元素P的影响，生成的晶态Ni的结构有较大的畸变，结构与金属Ni相差很大。

简介：用同步辐射X荧光(SRXRF)分析了土壤和岩石标准参考物质、泰兵马俑和江西洪州窑古瓷中的元素谱。实验结果表明用扫描方式分析古陶瓷中的元素谱能提高实验数据的重复性，在古陶瓷元素谱的无损分析中，现有标准参考物质可以用于部分元素含量的的标定和分析质量控制。

简介：利用原子力显微镜，同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息，如发现铁电畴的明区要高于暗区，且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。

简介：应用同步辐射小角X射线散射方法测试了不同制备条件下SiO2干凝胶的孔隙结构，发现了散射曲线对Debye散射理论的遵守与正、负偏离的三种情况。分别应用Debye法和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算了SiO2干凝胶中微孔的平均孔径，结果表明这几种方法的计算值不仅在遵守Debye散射理论的情况下比较接近，而且在偏离（正和负）Debye散射理论的情况下也取得了较好的一致性。

简介：提出了当多孔体系的小角X射线散射不遵守Porod定理的情况下，应用Debye法（相关函数法）和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算它们的平均孔径的方法。对不同制备条件下部分二氧化硅干胶凝的测试，取得了比较一致的结果，并与氮气吸附法测定结果进行了对比。

简介：用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理的，腹腔注射CdCl2的及注射后用新型的络合剂促排的三组Wistar大鼠的肾切片。结果表明Cd主要分布在肾的皮质部分，而髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间的关系；在正常鼠肾中，元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se为一类，它们在肾中的分布有较强的共位性，处于平均状态；急性中毒时，Cd与Se的距离最近。有较强的相互作用。其次是与Ca，此时元素的分类不明显，平衡被打乱；中毒后用新药促排的Se和Zn强相关并聚为一类，其它元素间的相关性变弱，元素基本上又趋于分为两类。

简介：