简介:Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。
简介:由中国光学学会和国际光学工程学会(SPIE)联合举办的2007亚洲光电子国际会议(PhotonicsAsia2007)将于2007年11月11~15日在中国北京召开。亚洲光电子会议是亚洲最大的光学、光电子学学术交流和产业交流的盛会。会议将对学科的最新发展趋势、技术应用、产品发布、市场分析、投资调研等各类问题进行广泛的讨论和交流。大会主席是中国光学学会理事长周炳琨院士和2007SPIE主席Mr.BrianCulshaw。王大珩院士和母国光院士担任大会名誉主席,庄松林院士、谢树森教授分别担任学术委员会主席和地方组委会主席,倪国强教授和丁伯瑜教授分别担任大会秘书长和大会执行秘书长。会议的承办单位
简介:超快透射电子显微镜(UltrafastTransmissionElectronMicroscopy,UTEM)是一种能够以纳米尺度空间分辨研究超快动力学过程的前沿技术。在哥廷根大学最新的研究进展里,建造了第一台具有高度相干性电子源的第三代UTEM。通过从纳米针尖发射局域的光电子,获得高度相干的电子脉冲,能够在样品处将电子斑聚焦到数个纳米,同时具有300fs的脉冲时间宽度。介绍了利用这种先进电子光源UTEM装置的几个应用:对坡莫合金薄膜的磁涡旋纳米图案进行实空间洛伦兹成像,打开应用UTEM进行超快磁性研究的大门;通过将电子脉冲聚焦到数个纳米,我们局域地探测单晶石墨薄膜上飞秒激光激发的声学声子在边缘的传播和演化;演示了自由传播电子束在激光驱动的近场中受光学相位调制产生的电子动量态相干叠加。
简介:2013年5月25-26日,第六届国际光子与光电子会议(The6thInternationalPhotonicsandOp—toElectronicsMeetings,POEM2013)在武汉光电国家实验室召开。开幕式上,美国光学学会的首席执行官ElizabethA.Rogan女士和华中科技大学副校长、武汉光电国家实验室常务副主任骆清铭教授到会致辞。4名本领域权威专家作全体大会报告,分别是:澳大利亚科学院院士、工程院院士、国际电工委员会委员,澳大利亚新南威尔士大学教授及超高效光电学研究中心执行研究主任MartinGreen,澳大利亚科学院院士、工程院院士、澳大利亚桂冠院士