简介：

简介：采用人工溅射的方式分别在熔石英基片上镀制了光学厚度相近的铜膜和铁膜污染物。研究了熔石英基底在355nm波长的激光损伤阈值。分别采用透射式光热透镜技术、椭偏仪、原子力显微镜和光学显微镜研究了两类薄膜的热吸收、膜层厚度、表面微观形貌以及激光辐照后薄膜的损伤形貌。实验结果表明：熔石英表面的金属膜状污染物均导致基片损伤阈值下降，位于前表面的污染物引起的损伤阈值下降更为严重，约为23％。两种污染物薄膜引起基底的损伤形貌、基底损伤阈值的下降幅度与薄膜的热吸收系数与微观结构有关。从热力学响应角度，结合损伤形貌对污染物诱导熔石英表面形貌的损伤机理进行了讨论。

简介：使用RF-PECVD法分别在基底温度为60℃、120℃和200℃的N型单晶锗表面制备了α-C：H膜,采用拉曼光谱、傅里叶变换红外吸收光谱和原子力显微镜等技术手段研究分析了α-C：H膜的价键组成及表面形貌,讨论了基底温度对α-C：H膜微结构及部分性能的影响。结果表明,在α-C：H膜沉积过程中,基底温度对膜层微观结构有较大影响,基底温度60℃时,膜层表面光滑、致密无石墨化现象。随着基底温度的升高,α-C：H膜中含H量和微晶石墨量逐渐增多,α-C：H膜层性能也逐步退化。

简介：非晶金刚石薄膜具有超高硬度等一系列优异的特殊性能,为工程界孜孜追求的材料表面镀膜.用百纳科技公司研发制造的过滤阴极真空电弧离子镀膜机镀制的非晶金刚石薄膜,SP3金刚石结构量≥80%,硬度高,膜/基结合力高,摩擦系数小,耐磨损,耐腐蚀,透光率高,在电子,机械,光学,生物医学上有广泛应用前景.我们已在视窗玻璃,丝锥,模具,硬质合金刀头等产品上成功应用.

简介：设计了45°入射反中波透长波分束膜系，并进行了误差仿真分析。选用“Ge＋ZnS”和“ZnS＋YF3”两组高、低折射率材料，采用离子辅助电子束蒸发技术，经过大量的镀制实验与工艺改进，解决了薄膜应力累积、不牢固、波长易偏移等问题，获得了45°入射中波红外3．7～4．8μm波段反射率R998％，长波红外7．7～10．3μm波段透过率T≥95％、光学性能良好的反中波透长波红外分束膜。镀膜样品一次性通过了GJB2485-1995规定的高低温及附着力试验。试验结果表明，膜层致密性和附着力良好。

简介：研究了SOFRADIR288×4红外探测器的结构与工作原理,在此基础上提出了基于外同步的288×4红外传感器的设计方案,并着重分析了其成像电路的设计,对其中的奇偶校正电路、非均匀性校正电路进行了详细的探讨和研究.

简介：针对GPS采样频率低、动态精度差的问题,为了在飞机起降性能测试课题中获取更高频率、更高精度的位置、速度等参数信息,利用高速像机阵列对飞机的起飞着陆运动过程进行接力拍摄,通过对各站点高速像机拍摄到的图像序列分析处理,利用数字图像处理技术、近景数字摄影测量三维直接线性变换（DLT）等算法,解算出了飞机的位置及速度数据。该方法对其他类似飞行物的轨迹测量具有指导意义。

简介：ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的（Huang-Rhys）因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。

简介：考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布，给出A1GaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15～45℃温度范围，其模式增益具有低的偏振相关性（2%以内）；当注入载流子浓度从2×10^24m^-3。增大到3×10^24m^-3时，模式增益逐渐增大，且能在一定温度下保持低的偏振相关（3％以内）。

简介：针对液晶可调滤光器所处的空间热环境设计了热真空及高低温循环试验方案,旨在通过试验验证液晶可调滤光器在空间热环境下的器件光学性能。热环境试验的结果表明,液晶可调滤光器的光谱曲线较试验前仅漂移不超时0.1倍带宽,透过率降低不超过2%。为确保器件在空间温度环境下的性能更加可靠,又设计了液晶可调滤光器的热控改进方案,将工作温度控制在35±0.5℃。仿真结果表明LCTF器件经过合理的温控设计完全可以适应空间热环境。