简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

简介：日本AsahiDenka和Kanasai电力公司日前开发出一种耐400℃的绝缘树脂。其中一品种牌号为“纳米树脂KA-100”，其为以聚硅氧烷为主要成分的热固性树脂，其重要特征为能粘结各种不同分子结构的纳米级化合物，故实用与潜能较可观。如将其用于SiC变换器能使发电功率达100kVA，

简介：工矿企业自动控制系统中大量使用的行程开关、限位开关、保护开关、检测开关等是对生产车间中机器旋转（或直线）运动零部件或产品等进行行程、限位、保护、检测和位置自动控制的重要开关。当运动的物体移动到指定位置时，在机械力撞击的作用下使开关发出断开或接通动作信号，完成相关设备或机构进行所需要的动作控制。由于机械力对开关的撞击使机构易折断和磨损以及接点在断开时承受很高的自感电势作用下产生弧光使接点过早烧损，导致开关的备件消耗量很大。甚至由于动作失灵，造成停工、停产、人身伤亡及设备重大事故，这是多年来工厂生产中的老大难问题。

简介：2003年我国绝缘材料产量达到230kt，比2000年增长35％以上。我国已成为世界绝缘材料的主要产地。

简介：荷兰科学家通过外部电子信号对原子大小的机械装置进行开关控制。相关论文发表在近期出版的美国化学学会月刊《纳米快报》上。

简介：据物理学家组织网12月13日（北京时间）报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。

简介：重庆大学设计出一种新型传感器，可附在眼镜上探测眨眼动作，从而使“眨眼”之间完成开关家用电器等日常任务成为现实。“该项技术可以被认为拥有了‘第3只手’。”研究负责人之一、重庆大学胡陈果教授说，如果正常人的双手被占用，可使用这种新型人机交互方式控制身边的电子设备，因渐冻症等疾病而失去活动能力的患者同样能从中受益，未来还将探索把这种传感器安装在人体的不同部位，尝试以此操控智能机器人。

简介：美国科学家在极高压下测量纳米材料的结构方面取得重大突破，首次解决了为金纳米晶体结构成像的高能X射线束严重扭曲问题，有望引导科学家们在高压下制造出新的纳米材料，也有助于人们更好地理解行星内部发生的一切。最新技术发表在4月9日出版的《自然·通讯》杂志上。

简介：高压电瓷的发展与电力工业同步，而屈从于陶瓷材料制造技术的进步。近年来我国先进陶瓷有长足的发展，尤其是氧化铝陶瓷的工艺技术和产品质量已达到国际先进水平，在国际上具有很强的竞争力。

简介：美国电子系统公司MCIO的首席执行官大卫·艾克（DavidIcke）在新一届TED医学交流大会上表示，像金属心脏起搏器这类厚重的医学仪器应该进入博物馆了，现代人需要更方便、适应携带的医学仪器。

简介：近日，中科院大连化学物理研究所理论催化研究组李微雪研究员与美国劳伦斯伯克利国家实验室、韩国汉阳大学的研究人员合作，通过先进光源和理论计算，从谱学上证明了在原位反应条件下Pt（l10）表面上催化氧化一氧化碳的活性相。研究结果以全文的形式发表在《美国化学会志》上。原位反应条件下催化剂的活性相和微观反应机理是多相催化反应研究中的挑战课题之一，代表性的一个课题就是汽车尾气Pt催化剂催化氧化的一氧化碳的活性相和反应机理。早在2004年，李微雪通过密度泛函理论计算，并结合高压隧道扫描电镜，研究了氧化气氛下Pt（110）表面的氧化行为，构造了

简介：利用高k／金属栅工艺的优势，IBM联盟管理者称：目前用户已可得到28nm监测工具。工BM副总裁指出，有些公司可能利用多晶氧化氮栅堆栈直接由45／40nm工艺代跨越到利用高k的32／28nm工艺代。有的消费者计划一次性的由32nm“缩小”到28nm，而另一些消费者则打算由目前的65nm和45nm工艺代直接连向28nm。

简介：新出版的国际《矿物学杂志》公布了国际矿物学会今年新批准矿物，中外科学家合作发现的氮化硼矿物获批准。命名为“青松矿”。

简介：

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：中科院近代物理所研制的“320kV高电荷态离子综合研究平台”项目近日通过了专家鉴定．标志着兰州高电荷态离子高压平台技术处于国际领先水平。

简介：根据固体和分子经验电子理论（EET理论），分别计算了静压法和爆炸法合成金刚石过程中石墨和金刚石的价电子结构，获得了超高温高压下石墨和金刚石12组不同组合晶面间的价电子密度，结果表明，采用静压法合成金刚石．石墨／金刚石晶面的电子密度差均大于10％，说明其晶面的价电子结构差异太大，不能诱发石墨向金刚石的直接转变。而采用爆炸法合成金刚石，石墨结构理论键距和实验键距差是0．1073nm，明显大于稳定的价电子结构键距差的最大值（0．005nm），因此，爆炸法条件下，石墨的价电子结构不稳定，主要因为超高温高压下，石墨先分解出亚稳相后再转变成金刚石结构。

简介：

简介：使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力（1200-2100K,4.0-8.0GPa）下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.