简介:日本铃木汽车公司开发出一种超声钎焊法,用这种方法在铁和铝零件间垫入锌料可获得高强度焊缝。焊缝强度与铅焊相当,因为Zn-5Al起到钎料作用。这种工艺无需助焊剂,因为铝钎焊表面生成的氧化膜随时被超声气蚀除去。
简介:使用分子束外延(MBE)技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAsSchottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术(ALD)插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.
简介:据媒体报道,日前,中科院福建物质结构研究所王元生研究员领导的课题组在半导体异质结液相可控合成方面取得重要进展。相关研究成果发表在国际著名刊物ACSNano上。
简介:中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究取得新进展,研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积(CVD)方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/六方氮化硼平面异质结,并将其成功应用于wSe2/MoS2二维光电探测器件。
简介:以四甲基氢氧化铵(TMAOH)为结构导向剂,钛酸四丁酯(Ti(OBu)4)为钛源,低温水浴处理,再经180℃下水热晶化制备纳米TiO2,采用FT-IR、XRD、TEM、UV—Vis等测试手段对其结构和形貌进行表征,并通过苯酚的光催化降解实验测试其光催化性能,结果表明,TiO2为锐钛矿相,结晶度高,所得TiO2粒子为纳米棒,界面清晰,规整度高,经紫外光照6h后,对苯酚的降解率可达62.3%,具有较高的光催化活性。
低热超声焊用于焊结钢和铝
GaAsMIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质
半导体纳米异质结光催化材料研究获重要进展
上海微系统所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究获进展
蝴蝶结状TiO2纳米粒子的制备及其光催化性能研究