简介:报道了近年来围绕激光辐照改变功能材料物理性质进行的探索和研究结果。研究发现:通过CO_2激光或准分子激光辐照,可以使一部分功能材料的介电、导电、磁性、压电、光学透过率、光致发光谱发生显著变化,材料形态有陶瓷、单晶和薄膜。涉及到的介电材料有:Ta_2O_5、BaTiO_3、Al_2O_3等;采用CO_2激光烧结,可以使Ta_2O_5陶瓷的介电常数提高近1倍(K>60),使(Ta_2O_5)_(1-x)(TiO_2)_x陶瓷的介电常数达到450,而介电损耗基本保持不变。涉及到的导电材料有:聚偏氟乙烯(PVDF)等;通过准分子激光辐照,可以使PVDF的电导率从10~(13)/Ω·cm提高到10~(-4)/Ω·cm数量级。涉及到的磁性材料有:LCMO和LBMO;通过CO_2激光辐照,可以使LCMO和LBMO薄膜的电阻温度系数提高近1倍。涉及到的压电材料有:LiNbO_3、BSKNN、BZT、PZT、NKN等;采用CO_2激光烧结,可以使某些材料的压电系数增大,可以使某些材料易于极化,可以使某些材料的相变温度提高。采用激光烧结技术,成功地烧结出Ta_2O_5、Al_2O_3、YAG等透明陶瓷。通过准分子激光辐照,可以使...
简介:通过金相观察、电化学腐蚀试验、晶间腐蚀试验和静态腐蚀失重试验,发现当热源间距为2mm时,接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀特性优于3mm和4mm时的接头。同时,该条件下焊接接头晶间腐蚀敏感性低于其它热源间距的接头。但热源间距对接头的均匀腐蚀速率影响很小。经过固溶淬火加时效处理的焊接接头耐电化学腐蚀性优于焊态接头,晶间腐蚀敏感性低于后者。另外,此热处理方法有助于减缓接头区均匀腐蚀速率。进一步分析表明,热源间距为2mm时的接头中,柱状晶在生长过程中,树枝晶得不到充分的发展,分枝较少,结晶后显微疏松等晶间杂质少,组织比较致密。固溶淬火加人工时效消除了焊缝的氢气孔,减少了侵蚀性阴离子对基体的吸附作用;同时,大量Mg、Si原子重新溶入铝合金基体,晶界杂质原子较焊态减少。