简介：采用MEMS工艺制备平面微盘腔，再通过二氧化碳激光熔融其表面形成为环状结构，通过三维形貌微系统分析仪、原子力显微镜分别测试了其外部尺寸和表面粗糙度，实验结果表明，锥形光纤近场耦合测得微腔品质因素为4．8×10^5，耦合效率在95％以上，因此激光回流微的方式在得到了新的结构的同时保证了光腔的性能。

简介：借助于Eshelby等效包容理论及粘弹性基础假设，对随机短纤维增强复合材料层与刚性平面的滚动接触问题进行了理论研究，分析了短纤维长径比和体积分数对滚动接触特性的影响，数值结果表明，滚动接触宽度和滚动摩擦系数均随纤维长径比和体积分数的增大而减小；等效接触应力分布不对称，最大等效接触应力随着纤维长径比和体积分数的增大而增大；在任意纤维体积分数和长径比下，滚动摩擦系数受转速影响较大，而滚动接触宽度更取决于载荷。

简介：中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯／六方氮化硼平面异质结研究取得新进展，研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积（CVD）方法成功制备出单原子层高质量石墨烯／六方氮化硼平面异质结，并将其成功应用于wSe2／MoS2二维光电探测器件。

简介：以平面环形微腔结构为核心器件，基于量子力学的隧道效应和“参量振荡不稳定”效应，结合理论计算及ANSYS和Beamprop仿真，设计出基于环形微腔结构的超高灵敏度位移传感器，特别是在1．55μm的谐振波下，对所设计的位移传感器进行了ANSYS力学仿真、Beamprop传输特性仿真以及输出特性数值模拟，论证了位移传感器的可行性，并为以后的实验奠定了基础。

简介：美国莱斯大学在储能设备微型化研究方面取得新进展，开发出两款微型的充电装置，一种是薄膜式超级电容器，另一种是可充放电的纳米线，有望为将来的微型电子产品和纳米设备提供电源。这两项研究分别发表在近期《自然一纳米技术》网站和《纳米快报》上。

简介：

简介：位于美国俄亥俄州巴伯顿的ASB工业公司宣布,公司最近新增的等离子电弧系统可以增加其新热喷涂车间的喷涂能力,使其成为一个具有多工艺能力的生产区域。ASB的热喷涂机能够在不同的工艺中使用,并且所有热喷涂工具和设备都放在工件的附近。

简介：据美国物理学家组织网日前报道，美国圣母大学通过实验证明了利用石墨烯原子层可以有效操控太赫兹电磁波，并制作了一台基于石墨烯材料的太赫兹调制器样机，为开发紧密高效且经济的太赫兹设备与操作系统开辟了广阔舞台。相关论文近日发表在《自然-通讯》杂志上。

简介：这是不同的多孔层（梯度多孔材料）组成的层叠结构示意图。每一层包含一组间接分布、大小相同的孔（这里仅显示一组这样的粒子）。无论是发热的汽车，还是发热的手提电脑，你生活中的每台机器和设备都通过热损失浪费了大量能量。但是能够将热能和电能相互转化的电热装置可能能够利用废热提高绿色技术能源效率。

简介：美国科学家研发出了一种更有效、更便宜的给电子设备降温的方式，新方法尤其适用于给激光器和发电设备等会产生大量热的电子设备降温。

简介：洗涤过滤的主要原理是利用偏钛酸的水不溶性与杂质离子的水溶性进行液固分离。介绍了几种常用的洗涤过滤设备,通过对各种设备的比较,提出了500t/a和1000t/a两种规模工业生产的洗涤过滤方式：500t/a规模采用多孔陶瓷膜洗涤、隔膜压滤机过滤;1000t/a规模采用隔膜压滤机或摩尔过滤机一次洗涤、摩尔过滤机二次洗涤或摩尔过滤机二级水洗工艺,并对主要设备的选型进行了计算。

简介：提出了以硫酸法钛白生产的中间产物硫酸氧钛或偏钛酸为原料均匀沉淀法生产纳米二氧化钛的技术路线，重点介绍了500t/a和1000t／a两种规模工业生产纳米二氧化钛的水解沉淀反应：500t／a生产规模的水解沉淀反应采用间歇搅拌釜式反应法；1000t/a规模采用直接蒸汽加热、快速冷却的工艺方案，并对主要设备的选型进行了计算。

简介：2005年12月14日大西矿业集团公司宣布他的全资子公司大西技术公司与能源转换公司的子公司签署购买该公司贮氢合金生产设备正式协议，购买价130万美元。

简介：10月9日，中国石油集团石油石化设备与材料专业标准化技术委员会在京成立。这个专业委员会的成立，标志着中国石油集团石油装备制造将进入一个崭新的发展阶段。

简介：据工信部发布的《2012年电子信息产品进出口情况》显示，2012年我国电子信息产品进出口呈小幅增长态势，进出口总额11868亿美元，增长5．1％，同比下降6．4％。其中，出口6980亿美元，增长5．6％，同比下降6．3％；进口4888亿美元，增长4．5％，同比下降6．5％。

简介：据报道，近日，中国纺织工业联合会在江苏昆山组织召开了由武汉纺织大学校和昆山汇维新材料有限公司共同承担的“结构可控热塑性聚合物纳米纤维膜制备关键技术及设备研发”项目鉴定会。

简介：据华盛顿国际半导体设备与材料协会(SEMI)报道,世界范围内新半导体制造设备2018年预期增加10.8%,增加至627亿美元,超过2017年的历史最高566亿美元记录。CIA一次设备市场破纪录的年份预计将在2019年,预期增长7.7%,增长至676亿美元。SEMI年中预报预计晶片工艺设备将在2018年增长11.7%,增长至508亿美元。其他前端环节,包括晶圆厂设备、晶圆制造以及标记伐9分设备2018年预期将增长12.3%,至28亿美元。组装打包设备2018年预期增长8%,至42亿美元,半导体测试设备今年预期增长3.5%,至49亿美元。

简介：四氯化硅是西门子法多晶硅生产中副产物,其循环使用是长期制约我国多晶硅低成本生产的关键因素,但其氢化条件苛刻,温度在520~580℃,压力2.5~3.8MPa,临氢,循环生产周期短,需3个月~6个月检修和更换,生产效率低下,其更换更带来大量的三废排放,给环境带来污染。在我国,如何高效、稳定运行多晶硅循环生产的多晶硅冷氢化装置。

简介：据报道，目前台积电的7nm布局最积极，近期台积电更是转变了7nm制程设备的采购策略，将应用材料（AppliedMaterials）、科林研发（LAM）、东京威力科创（TEL）、日立先端（Hitach）、中微半导体5大设备商均纳入采购名单，致力平衡7nm制程设备商生态价格。

简介：来自英国的沃尔沃克热处理有限公司宣布其拥有一个专门的、Nadcap认证的热处理设备，用于从小零件到大型制造的镁和铝组件。对于一些热处理器，铝和镁难以处理，但在过去的四年中，沃尔沃克增加了生产力，并稳步地扩大这些服务。