简介：俄国立研究型技术大学（NUSTMISIS）莫斯科钢铁冶金学院与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学和日本国立材料科学研究所的科学家一起，制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。

简介：用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Cr／SiO2／Si衬底上制备了（100）取向PT过渡层，探讨了制备工艺条件对胛过渡层成膜情况的影响，结果表明，快速热处理工艺制备的PT过渡层结晶较好，而热解时间过长和退火时间过长都会引起铅的损失，造成TiO杂相的出现，从而对PT过渡层的结晶产生不利影响。

简介：采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2（SnO2：Sb）薄膜。研究了膜厚对SnO2：Sb薄膜红外光学性能的影响，利用X射线衍射仪、分光光度计、霍尔效应测试系统对薄膜样品进行表征和测试。结果表明：SnO2：Sb薄膜为四方金红石型结构；当膜厚为1220nm时，薄层电阻最小，为157Ω／□；在红外波段，透射率随膜厚的增加显著下降，当膜厚为890nm时，在波长2000nm处，透射率接近于0，膜厚为1220nm时，在波长1750nm处，透射率为0。

简介：据英国《每日电讯报》报道，澳大利亚和日本科学家已经发明出一种比蜘蛛网更薄的太阳能电池，这种电池非常柔软，甚至可以缠绕在一根头发上。

简介：据报道，由北京有色金属研究总院和有研稀土新材料股份有限公司共同完成的“稀土功能材料用高品质金属及合金快冷厚带产业化技术及装备”项目荣获2009年度国家技术发明奖二等奖。

简介：研究了导电银浆中银粉的振实密度对丝网印刷的太阳能电池正面栅线厚膜的微结构和电性能的影响.以两种不同密度的银粉按不同的比例混合,调配成5种银粉,将其配制成银浆,然后丝网印刷到单晶硅片上,制成太阳能电池片.结果显示,银粉的振实密度对厚膜的微结构和太阳能电池的电性能有重要影响,用振实密度为2.5g/cm3和4.6g/cm3的两种银粉按2∶8的质量比混合后,其振实密度最大,达5.0g/cm3;在其他条件完全相同时,用其配制的银浆制备的厚膜均匀致密,对应的电池显示了最大的光电转化效率,达17.683％.

简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

简介：近日，美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress（NVMe）2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储，可以17mm×17mm的规格进行封装，兼容M．2、U．2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外，还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。