简介:采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。
简介:2010年,英国曼彻斯特大学的安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖罗夫因“突破性地”采用撕裂的方法得到只有一个碳原子厚度的超薄材料石墨烯而获得了当年的诺贝尔物理学奖。从那时开始,石墨烯这种世界上最薄且最坚硬的材料激起了全世界的研发热潮。从2013年欧盟首个未来10年投入10亿欧元的石墨烯旗舰项目,到韩国知识经济部预计在2012到2018年间向石墨烯领域提供2.5亿美元的资助,再到我国《新材料产业“十二五”发展规划》中明确将石墨烯列为重点发展的前沿新材料,石墨烯可以说已经被世界各国政府视为通过发展科技从而带动经济快速发展的重要新引擎之一。在政府和社会各界的鼓舞下,石墨烯科技发展捷报频传。从实验室中石墨烯超导体的出现,到石墨烯超级电容器应用于无人驾驶车辆,再到石墨烯增强的无人机的问世,这些无疑都为人们勾画出更加美好的石墨烯科技发展蓝图。全世界都在关注石墨烯,我国在这股新浪潮中终于摆脱追赶的地位,发令声响的那一刹那,我国不仅同时起飞,而且已经以一个领先者的姿态大步向前。无论是科技投入的经费,还是科研成果的产出,在数量上都遥遥领先于世界上多数国家。在这样一个前景十分乐观的发展热潮下,不禁要问,科技成果的质量是否如数量一样遥遥领先?从科技成果的产出到转化到最终走向市场,还有多远的路要走?与国外有无差距或区别,如果有,在哪里?当然这些问题不是简单几个分析就能得出的结论,本文中笔者仅从科技成果的产出之一专利的角度尝试着去解读目前中外在专利产出与布局上的异同点,以期为我国规划石墨烯发展方向、细化科技战略与制定研发目标提供一些参考。