简介：采用自洽场离散变分Xa(SCC-DV-Xa)方法对纯V2O5及夹层V2O5的能带结构、态密度、键强度、电子集居数等进行了研究.结果表明，Li+引入V2O2层间的最佳位置是在双键氧之下(或之上)，且靠近层的中心位置，此时它与周围原子间的作用力非常微弱，并且材料的导电性增强，使夹层复合材料Li+注入/脱出具有很好的可逆性和较好的光学性质.
PEO／V2O5复合薄膜中Li^＋的位置与电子结构研究
