简介：电化学阻抗谱是常用的一种电化学测试技术,该方法具有频率范围广、对体系扰动小的特点,是研究电极过程动力学、电极表面现象以及测定固体电解质导电率的重要工具。本文以固体氧化物燃料电池的电化学阻抗谱的测试为例设计了一套在线分析电化学阻抗的应用课程。介绍了电化学阻抗谱的原理,数据采集方法和数据处理方法,阐述了电化学阻抗谱技术在本科实验教学中的可行性和重要性。

简介：采用热处理和机械混合的方法制备CNTs-TiO2锂离子电池负极材料。CNTs-TiO2负极材料的表面形态及物相通过扫描电子显微镜（SEM）、BET比表面积测试和X射线衍射（XRD）仪进行表征;通过充放电循环测试,表征CNTs-TiO2负极材料的充放电库仑效率、充放电性能及循环性能。实验结果表明：CNTs-TiO2在倍率为0.1C时,首次放电比容量达到213mAh·g-1,在第50次循环后,比容量稳定在143mAh·g-1,体现出良好的循环稳定性。

简介：本文围绕着“趣”、“实”、“思”、“探”、“创”等五字展开实验教学的探讨，从而体现中职化学“做中学，学中做”的教学理念，使学生的实验操作技能得到提升，他们的思维、创造能力得到提高，激发了他们学习化学的热情。

简介：

简介：TQ171.68497010634超精密光学抛光研究的进展及其发展趋势=Developmentandfeatureofultraprecisionopticalpolishing[刊,中]/滕霖,任敬心(西北工业大学.陕西,西安(710072))∥航空精密制造技术.—1996,32(3).—5—9综述了对精密光学抛光影响精度和质量的因素,对重要因素目前的研究进展进行了分析;介绍了新型

简介：O72395021325磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤=SurfacedamageofHgCdTewafersinlappingandpolishing[刊,中]/姚英,蔡毅,欧明娣,梁宏林,朱惜辰(昆明物理所.云南,昆明(650223))//红外技术.—1994,16(5).—15—20用X射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Te溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的

简介：高功率固体激光装置对KDP晶体光学元件的基本要求是大口径、高精度面形质量、高激光损伤阈值、良好的表面粗糙度。但是KDP晶体本身具有质软、易潮解、脆性高、对温度变化敏感、易开裂等一系列不利于光学加工的特点，传统的研磨抛光法不适于加工高精度的大口径KDP元件。国外加工此类元件已广泛采用先进的单点金刚石车削技术（简称SPDT）。采用SPDT技术加工KDP晶体元件，主要存在3个方面的加工误差，即晶体的面形误差、表面粗糙度（包括表面疵病）以及小尺度波纹等。

简介：TN30597010636大规模集成电路刻蚀过程和终点的在线监测-等离子发射光谱法=Insitumonitoringetchprocessandend-pointforLSIbytheplasmaemis-

简介：TN30595021329相移掩模的计算机模拟方法研究[学,中]/沈锋;中科院光电技术研究所.—62页.—1994.6研究了亚微米微细光刻技术的一个热门领域—相移掩模提高分辨率.从Hopkins理论出发,导出了一般情况下的二维物体的部分相干成像的简化强度

简介：针对离轴TMA结构空间相机中使用的两块离轴非球面反射镜的加工过程,提出了一种新型的矩形轴非球面的最接近球面半径的求解及其优化方法,并且开发了基于计算机虚拟加工技术的CC()S工艺参数计算方法。被加工工件分别为165mm义100mm的矩形凸面

简介：本工作主要包括KDP晶体单点金刚石车削加工和是非球面透镜数控抛光技术。

简介：工件如图1所示，材料为1Crl8Ni9Ti，焊接结构件。加工的主要难点是工件内孔深且为盲孔，内孔底部为球面，几何精度要求高，薄壁，刚性差，容易引起变形。

简介：论述了离子束曝光技术的原理、特点,分析了其面临的关键技术问题,如掩模技术、离子源技术、图像对准技术等,并介绍了这些年来国外的一些研究机构及公司在离子束曝光技术上的研究进展及

简介：TN305.72002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximitycorrectionforimprovingpatternqualityinsubmicronphotolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.72002032299光刻技术在微细加工中的应用=Applicationoflithographytechnologytomicroelectronicmanufacturing[刊,中]/刘建海(上海先进半导体制造有限

简介：小工具数控抛光技术已成为ICF大口径光学元件制造的主工艺技术，由于这种工艺技术使用了比被加工元件外形尺寸小得多的抛光磨头来进行加工，所以被加工表面将呈现出不同于传统方法加工表面的特征。与传统抛光技术相比，被加工表面的某些频率成分可能增加，可能会对光学系统带来不良的影响。

简介：O644.194032316细菌视紫红质LB膜在ITO电极上的光电化学性质[刊,中]/王建平,李津如,陶培德,李兴长,江龙(中科院感光化学研究所)∥中国科学(B辑).—1993,23(9).—936～939利用Langmuir—Blodgett技术,可在ITO导电玻璃上沉积出含有细菌视紫红质的紫膜碎片LB膜.

简介：O644.197053496吩噻嗪在苯和环己烷中的光化学研究=Photochemicalreactionofdibenzothiazineinbenzeneandcyclohexane[刊,中]/王素华,陈德文,郭建新,王皓(中科院化学所分子动态与稳态结构国家重点实验室.北京(100080))//科学通报.—1996,41(23).—2159—2161用ESR方法研究了吩噻嗪在氧化饱和的非极性溶剂苯、环己烷中的光化学行为,并从理论上作了相关计算,这对于探索氧在吩噻嗪的光物理化学过程中的作用有重要意义。图1表1参7(方舟)O644.197053497光催化氧化后四环素的分解率与COD去除率之间关

简介：O644.12000064293新型水溶性硫杂蒽酮类光引发剂的光化学性能研究=Photochemicalpropertiesresearchonnovelwatersolublethoxanthionephotoinitiators[刊,中]/钱蓁,赵长阔,王金娣,祁国珍(华东理工大学精细化工所.上海(200237)),陈景荣(中科院感光化学所光化学开放实验室.北京(100101))//感光科学与光化学.—1999,17(3).—225-231

简介：O644.195032093(4--N,N——二甲氨基)—苯基-N-苯基硝酮在高聚物薄膜中光化学反应特性的研究=Astudyonthephotochemicalreactionof(4—N,N—dim)[刊,中]/刁力,贺光潜,吴世康(中科院感光化学研究所)∥感光科学与光化学.—1994.12(2).—110—114

简介：O644.194064123聚丙烯表面的光化学改性=Lightchemicalmodificationofthesurfaceofpolypropylene[刊,中]/韦亚兵,冯震国,曲志刚(南京化工学院)//现代塑料加工应用.—1994,6(2).—27—29在Na保护、紫外光照射下,以二苯甲酮为光引发剂,丙烯酸为接枝晶体,在聚丙烯表面进行气相光