简介：O471.598010628多孔硅反射谱的测量与分析=MeasurementandanalysisoftheopticalreflectancespectraofPS[刊,中]/晃战云,徐伟弘,唐洁影,汪开源(东南大学.江苏,南京(210096))//固体电子学研究与进展.—1997,17(1).—50—54测量多孔硅的光反射谱,并进行了分析和讨论,得出了其能带展宽等特性。利用K—K关系,计算得出了多孔硅的折射率n等光学常数,并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析。图6参3(李瑞琴)

简介：O47296032017ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究=Astudyonstructureandgas-sensitivecharacterofZnO/SnO2bilayerfilm[刊,中]/娄向东（河南师范大学化学系.河南,新乡（453002））,沈荷生,沈瑜生（中国科技大学材料科学与工程系.安徽,合肥（230026））//传感技术学报.-1995,（2）.-20-23将SnO2及ZnO粉末压制成靶材,采用溅射法制备了ZnO/SnO2双层薄膜,用XPS,XRD、SEM等手段对制得的薄膜进行分析测试,发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在,双层膜中锌、锡有一定的相互扩散,比较了单层SnO2及ZnO膜与双层膜的气敏特性,结

简介：半导体桥火工品与桥丝火工品相比具有以下优点：不发火能量散布精度高，安全性高；作用时间比桥丝快1～2个数量级，同步性好：防射频、抗静电、抗杂散电流的性能好；可采用微电子延期电路控制延期时间，延期精度高；可与复杂数字电路组合，接受特定编码信号的控制；可实现自动化大批量生产，从而可提高产品的一致性，降低生产成本。因此，发展半导体桥火工品对于提高低输入能量火工品的安全性、可靠性、同步性、工艺一致性以及降低发火能量、与数字逻辑电路组合等具有重要意义。

简介：本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。

简介：裂纹是结构组件中最具危险性的缺陷，在表面裂纹被探出后，对断裂分析和构件修复来说裂纹深度测试是非常重要的实际问题。电位法检测裂纹深度的原理是基于电位探针理论，当被测量金属表面两点间有裂纹存在时，其两点间电阻比无裂纹表面的电阻高。其特点是仅需从试件的一侧进行测量而不受背面条件的限制，适用于一切导电试件，且由于趋肤效应的存在，使交流电位法的测量精度较直流电位法高。

简介：在物理实验中,将半导体激光器作为光源的实验很多,但由于其光学性能取决于工作电流的大小与谐振腔的质量,所以了解其适用范围,对于指导教学活动是很有帮助的。

简介：依据光栅衍射原理,采用玻璃圆柱把半导体激光扩束成片光源,通过分光计测量激光光谱谱线的衍射角,测定半导体激光波长.这种方法操作简单实用,具有较高的测量精度.

简介：变化的磁场在导体内会引起涡电流。本文分析了磁体在导体管内下落这一现象，推导出磁体匀速下落的表达式，并介绍利用这一现象测量物体的一些物理量。

简介：不良导体导热系数的测量是大学物理实验热学部分一个非常重要的实验.目前该实验在实现手段上还存在一些不足,主要为实验装置的缺陷,本文针对实验装置的缺陷进行分析,并对实验装置进行重新设计.

简介：在架空多导体传输线高空核爆电磁脉冲（HEMP）响应建模计算中,研究了不同参数的选取对响应计算结果的影响。首先利用链参数矩阵法对110kV线路进行建模,在模型中将线路端接设备等效为一系列互相连接的电容,计算了不同电磁波入射角Ψ、地面电导率σg和线长L下的线缆末端的响应电压和响应电流,分别归纳分析了3个参数与线缆响应幅值之间的关系。结果显示,随着入射角的增大,线缆末端的响应幅值均呈现出先变大后变小的趋势,当Ψ约为1°-5°时,达到极大值;线路长度较短时,线路末端的响应幅值随长度的增长而变大,当线长超过一定值后,线路响应则不再随线长的增长而变大。

简介：介绍了微结构半导体中子探测器的原理,从微结构形式、制作工艺、理论模拟及实验研究等方面综述了微结构半导体中子探测器近年来的研究进展。可以看出,微结构半导体中子探测器结构、参数、中子转换材料填充密度及甄别阀大小等因素对中子探测效率有影响。微结构半导体中子探测器具有中子探测效率高、体积小、时间响应快、工作偏压低等优点,是替代^3He正比计数管的理想器件。

简介：在室温下，该种探测器的暗流达到微安量级，即使在现有最强的γ辐射源下，输出的电流也仅有微安量级，信噪比只能达到约为1。以前使用的PIN半导体探测器，其γ光子灵敏度仅用理论计算值，计算值的可靠性与精度需实验标定检验，成功标定的关键就是如何提高探测器输出的信噪比。由于条件的限制，以前没有实际标定过。现在，利用PIN半导体探测器的暗流与温度有关这一规律，采用半导体制冷器降低探测器环境温度实现降低暗流的目的。

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。

简介：大功率脱硫加速器要求稳定发射500mA直流电流，且要长时间连续工作，因此寻求一种长时间稳定发射的阴极发射体，对于脱硫加速器的建造至关重要。就制备技术比较成熟的大电流长寿命发射体而言，用单晶LaB6的逸出功低、发射度好，成为高亮度、高稳定性、长寿命阴极的首选材料。

简介：运用配置法讨论两无限长平行圆柱形带电导体周围的静电场,导出其电势及导体表面的电荷面密度,计算两导体系统的单位长度电容

简介：本文讨论了用双臂电桥测量电阻以减小误差的方法。

简介：由于科研生产的需要要求设计-1kV可调脉动直流电源。按照使用要求，输入电源为交流220V，输出为0～1kV可调脉动（脉动频率为100Hz）直流输出，输出功率500W，初步制定了3套设计方案。方案1：采用可控硅调压经变压器升压后整流，此方案制作简单成本低，但当可控硅处于半导通状态时会产生高次谐波污染电源，且要求整流元件的耐压值要高；方案2：采用开关电源，此方案制作成本较高，且需要大功率开关管；方案3：采用自耦调压器调压后整流，此方案输出波形无畸变，对电源无污染。

简介：近年来，采用直线电机驱动超精密加工机床定位轴的直线运动方案，由于无中间环节的弹性变形、间隙、磨损和发热等因素带来的运动误差，具有定位精度高、响应速度快、低速性能好等特点，已成为国内外数控机床产品新的技术发展方向。为了正确利用直线电机，本文在扼要介绍永磁无刷直线直流电机工作原理的基础上，阐述了正确选择永磁无刷直线直流电机的方法，并给出了实例。

简介：介绍了低气压下直流辉光放电等离子体的实验装置，该装置具有结构合理、调节方便、测量参数多等特点，可在其上开展等离子体参数测量、等离子体激发机理研究等多项教学实验。

简介：介绍了半导体制冷片的基本结构,基于单片机和半导体制冷片设计了热敏电阻温度特性研究实验,设计完成了温度特性研究系统的硬件电路和软件构造,探讨了单片机和半导体制冷片在物理实验中的应用。此实验平台具有很好的扩张性,可用于设计组成各种温度控制类的实验内容。所完成的温度特性研究实验系统具有集成度高、体积小、使用方便等特点。