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  • 简介:低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一,也可以用于集成电路钝化膜制备。

  • 标签: 低压化学气相淀积 微电子机械系统 硅基片 二氧化硅薄膜
  • 简介:一铅铸件采用“外层块状成形冷铁配内侧整体成形冷铁”的工艺,在确定工艺参数时,如果设计的浇注充型压力、充型速度不适当,金属液就易出现紊流,导致卷入气体而形成气孔、渣孔等铸造缺陷。因此,在进行实际浇注试验前,运用华铸CAE/InteCAST铸造模拟系统对设计的浇注工艺进行了充型及凝固过程的数值模拟,分析充型及凝固过程中流动场、温度场的变化情况,以确定适合的工艺参数值。

  • 标签: 工艺应用 低压铸造 CAE系统 铸件 充型速度
  • 简介:采用光电法研究炸药反应结构的实验装置如图1所示,炸药装置用平面波透镜起爆。为了屏蔽炸药爆轰发光,在炸药样品和窗口材料氯仿之间用0.01mm厚的铜箔隔开。然后用硅油将铜箔紧紧地贴在被测样品的表面,其目的是避免炸药样品与铜箔之间有空气隙存在,以免其影响测试精度。为了防止氯仿的渗漏,在铝套筒和炸药样品之间用真空油脂密封。光纤一端直接插入装置之中,另一端和高温计的各通道相连。炸药爆轰后,在透明液体氯仿中产生冲击波,在冲击波作用下液体发光,光纤和光电倍增管将光信号转变为电信号,记录在示波器上,计算得到氯仿中的冲击波温度随时间的变化曲线。

  • 标签: 炸药爆轰 反应区结构 JO-9159 光电法 冲击波温度 宽度
  • 简介:目的:分洪工程的启用具有非常重要的防洪效益,但同时也将严重威胁分洪群众的生命财产安全。为定量计算洪水中人体(成人与儿童)、车辆、房屋、农作物(水稻和棉花)的洪水风险与洪灾损失,考虑受淹对象的失稳机理,提出分洪群众生命与财产的洪水风险模拟模型。创新点:1.基于力学过程中的洪水中人体与车辆失稳的计算公式,建立相应洪水风险等级评定的新方法,并提出4类受淹对象平均损失率的计算方法;2.结合二维水动力学模型的计算结果,分析4类受淹对象洪水风险的时空变化情况,同时讨论根据不同下垫面类型取不同糙率值以模拟洪水演进过程的必要性,并比较文献中提出的洪水中人体风险等级计算结果的差异。方法:1.分析现有洪水中人体、车辆、房屋和农作物风险或损失的计算方法,提出相应洪水风险计算关系或计算曲线(公式(3)~(6),图1和2);2.参考1954年荆江分洪工程北闸第一次的分洪情况,通过计算分洪140h的洪水演进过程和4类受淹对象洪水风险的时空分布(图8),同时得到4类受淹对象平均损失率随时间的变化情况(图10);3.在荆江分洪洪水演进过程模拟中,讨论根据不同下垫面类型确定相应糙率值的方法与计算区域糙率统一取值0.04、0.05或0.06的3种工况下洪水要素变化的差异(图11和12),并采用文献中提出的洪水中人体风险等级计算方法,比较洪水中人体风险等级变化的异同(图13)。结论:1.一旦荆江分洪工程启用,截止至北闸开启140h时,洪水中人体、车辆、房屋、农作物的平均损失率达到75%以上,即分洪工程的启用将造成重大的生命财产损失;2.糙率取值方法的不同,导致洪水演进过程不同,进而影响各类受淹对象的洪水风险评估,因此需要根据不同下垫面类型确定相应的糙率值;3.文献中提出的洪水中人体风险�

  • 标签: 人体 财产 洪水风险评估 数学模型 荆江分洪区
  • 简介:压强在几十个兆巴到上百兆巴之间的过渡状态方程一直是实验室和工程应用中关心的重要问题,在这个范围内既没有实验数据也没有很好的理论来描述,例如,密度泛函的方法由于不含温度而无法适用于过渡:TF模型的计算由于过渡的温度压强不太高而使得结果不再令人满意。文中对同类的平均原子结构作了几点改进:(1)考虑了稠密物质中的势阱效应,对传统平均原子模型作动态自由电子判据改进;(2)将准自由电子细分为4个部分,分别处理;(3)修改了中心场近似下正能态波函数的边界条件。在计算压强方面,考虑了共振态对电子压强的影响,引进了量子交换效应和库仑关联效应对压强的贡献。

  • 标签: 自洽场计算 电子压强 过渡区 等离子体 平均原子模型 自由电子
  • 简介:利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析给出了探测器灵敏厚度。结果表明,计算得到的探测器灵敏厚度与探测器灵敏真实厚度在3%以内吻合,证明了模拟计算方法的可行性。同时,还计算了不同厚度的铝吸收片条件下,反冲质子在探测器灵敏区内的能量沉积,得到了沉积能量随铝吸收片厚度的变化曲线,可为反冲质子法脉冲中子探测器系统设计提供参考。

  • 标签: 反冲质子 Si-PIN半导体探测器 Geant4工具包 灵敏区 能量沉积
  • 简介:通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并给出了结构影响因子的可调节范围.在TPG700脉冲驱动源上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好地符合了理论分析结论.

  • 标签: 无箔二极管 强流电子束 I-V特性 结构影响因子
  • 简介:爆轰波对碰驱动下金属圆管对碰易出现过早断裂现象,为了推迟圆管对碰的断裂时间,文中在紫铜圆管对碰部位设计了铝保护环结构,以研究加环后紫铜圆管对碰的膨胀变形特性及其对圆管对碰部位破裂时间的影响。采用高速分幅摄影、脉冲x光照相两种观测技术,对加环紫铜圆管在爆轰波对碰驱动下的膨胀变形及破坏过程进行了观测。实验装置示意图及高速分幅摄影实验结果见图I。

  • 标签: 金属圆管 变形特性 爆轰波 紫铜 驱动 高速分幅摄影