简介：TQ171．652005032360利用计算机辅助装调检测矩形大口径离轴非球面的方法研究=Studyontestingmethodsoflarge-aperturerectangleoff-axisasphericalsurfacewithcomputeraidedalignment[刊,中]／杨晓飞(中科院长春光机所．吉林,长春(130022)),韩昌元∥光学技术．-2004,30(5)．-532-534通过非球面的零位补偿法,完成了对矩形大口径离轴非球面镜的检测。先用光学设计软件Zemax从理论上分

简介：高功率固体激光装置对KDP晶体光学元件的基本要求是大口径、高精度面形质量、高激光损伤阈值、良好的表面粗糙度。但是KDP晶体本身具有质软、易潮解、脆性高、对温度变化敏感、易开裂等一系列不利于光学加工的特点，传统的研磨抛光法不适于加工高精度的大口径KDP元件。国外加工此类元件已广泛采用先进的单点金刚石车削技术（简称SPDT）。采用SPDT技术加工KDP晶体元件，主要存在3个方面的加工误差，即晶体的面形误差、表面粗糙度（包括表面疵病）以及小尺度波纹等。

简介：针对离轴TMA结构空间相机中使用的两块离轴非球面反射镜的加工过程,提出了一种新型的矩形轴非球面的最接近球面半径的求解及其优化方法,并且开发了基于计算机虚拟加工技术的CC()S工艺参数计算方法。被加工工件分别为165mm义100mm的矩形凸面

简介：基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管，设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生器。其性能指标为高压脉冲幅度一100～-1000V，脉冲宽度40ns～2μs，脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化，可小于30ns，输出负载为50Ω作为一种模拟源，该高压脉冲信号发生器已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。

简介：用常规的浸渍-还原法制备Pt／C催化剂，如果条件控制不好，制备出的Pt粒子大小和分散度不均，且易出现团聚。文中的主要目的是用微波密闭加热的方法，研究制备条件对Pt粒子大小的影响，制备高分散度且Pt粒径大小在一定范围内可控的Pt／C催化剂。

简介：TQ171.6897010633玻璃与GaAs外延片热压粘结工艺研究=ThestudyofGaAsexpitaxialplatethermocom-poressionbondedtoglasstechnology[刊,中]/赛小峰,张书明,高鸿楷,侯洵(中科院西安光机所半

简介：目前数控车削回转曲面的加工及检测需要由三坐标测量机多次检测来实现，而一般机械加工车间的数控车削设备与三坐标测量机常常是多对一的配置关系，易造成待检产品在三坐标测量机处积压，消耗过多无效时间，影响产品的制作周期。另外，产品检测需从机床上卸下，检测后需重新找正装夹，这样即延长了加工的辅助时间，又增加了误差的可能性。针对此现状本项研究的目的是将三坐标的检测原理应用到数控车床上，利用机床自身的坐标系统进行数据采样，在加工误差于允许的范围内，在不进行重复装夹的前提下完成数控车削回转曲面的现场检测。具体方案为接触式检测法，该方法采用不带压力或位移传感器的机械式球形测头进行数据采用，测头表面与工件表面的接触状况用弱电流电路通过发光二极管显示，

简介：测试了在高能电子辐照和高工作电压共同作用下，星用高压电缆的静电放电信号。同时，利用蒙特卡罗方法分析了高能电子沉积位置，并利用有限元法分析了高工作电压下，高压电缆的内部电场分布及变化。

简介：材料高压下的状态方程（EOS）在天体物理、材料科学和惯性约束聚变（ICF）等研究领域中都是十分重要的。2004年在“神光”-Ⅱ装置上进行了单路倍频激光直接驱动的Al-Cu阻抗匹配靶实验和Cu-Al阻抗反匹配实验，目的是提高冲击波速度的测量精度和准确性，同时校验测量方法的实用性和可靠性。

简介：在高压下使用的压力容器、阀门等产品，制成后需进行耐压试验和气密性试验以保证产品在工作压力下不泄漏。为此，研究设计了一套可采取自动和手动两种控制方式，对高压容器等产品安全地进行耐压、气密性试验的充气系统，及可在气密试验压力下检测漏率值的真空检漏系统。

简介：建立了低地球轨道（lowearthorbit,LEO）等离子体环境下,高压太阳电池阵收集电流的计算方法,计算获得了不同等离子体环境和卫星工作状况下,高压太阳电池的收集电流。分析表明,等离子体密度越高,温度越小,高压太阳电池收集电流非线性增加;同时,太阳电池收集电流随卫星功率和工作电压的增加而迅速增加。

简介：为研究几十微秒脉冲作用下高压气体中绝缘材料的沿面闪络特性,研制了一个高电压绝缘测试平台。该平台通过高压电容对同轴线进行谐振充电,谐振倍压可达1.6,输出电压可达350kV,充电时间约30μs。在0.4MPa高压氮气环境下对平板结构的尼龙和有机玻璃沿面闪络特性展开实验研究,利用韦伯统计分析工具,发现闪络发生概率为0.1%时,有机玻璃的沿面最大电场强度是尼龙的1.64倍。分析了两种不同刻槽结构对有机玻璃沿面闪络电压的影响,发现半圆形刻槽能更好提升沿面闪络电压,因为这种结构更能抑制电子沿材料表面的运动。

简介：激光焊接是利用激光熔化母材本身金属来填充焊缝，因此激光焊缝表面没有余高，并有少许凹陷，由于构件结构的特殊性，有关技术要求焊缝的焊接深度仅为16mm，焊缝宽度不得大于6mm，而实际上焊缝区域的母材厚度约为6-12．5mm变化，焊缝尺寸相对于母材厚度很小，造成焊缝在底片上形成的影像不明显。简体内部密封并以其他材料填充，在进行射线检测时射线不可能采取双壁单影法透照对焊缝实施检测，只能采用单壁单影的透照方法。另外，靠近简体内侧加工有工艺弧度，在射线透射方向上母材厚度有很大变化，

简介：为了在虚拟的环境中进行产品的装配工艺规划，必须建立一个虚拟装配系统，这就涉及到虚拟装配的建模问题。虚拟装配系统的建模应当包括从模型的数据源——CAD系统提取数据以及数据在虚拟装配（VR）系统中的组织两个方面的问题。下面分别从CAD与VR系统模型的异同、信息转换、虚拟装配系统的模型描述、装配特征等几个方面来描述。

简介：小工具数控抛光技术已成为ICF大口径光学元件制造的主工艺技术，由于这种工艺技术使用了比被加工元件外形尺寸小得多的抛光磨头来进行加工，所以被加工表面将呈现出不同于传统方法加工表面的特征。与传统抛光技术相比，被加工表面的某些频率成分可能增加，可能会对光学系统带来不良的影响。

简介：聚叠氮缩水甘油醚（GAP）是一种侧链含有含能叠氮基团，主链为聚醚结构的含能预聚体，该预聚体具有正的生成热，因而能量水平高。GAP在火箭固体推进剂中的应用较多，与端羟基聚丁二烯（HTPB）黏合剂系统比较，GAP是一种高能量（5023．2J／g）、高密度（LLHTPB高40％以上）的聚合物。

简介：Ⅱ型终端组件由窗口、晶体、透镜、过渡段4个模块组成，直接与靶室相连，是整个原型装置非常重要的组成部分，它的装校精度直接影响原型装置三倍频输出能力。Ⅱ型终端组件最终装校精度主要取决于透镜的精密定轴和晶体最佳匹配角的离线精确测量。目前，重新开展对终端组件精密装校工艺研究和流程设计，目的是改进原有装校方式，降低晶体装配中的应力，同时根据今年试验的需要制定符合两种不同取样方式的精密装校工艺流程。

简介：MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此，在研制过程中，解决了用多个场效应管串、并联组合，形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关；用多个脉冲变压器并联，对大电流开关输出的信号进行放大和成形；用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术，采用稳定的开关器件等技术和工艺，解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管，替代国外氢闸流管部分用途的功能。

简介：TN305．72005032365硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用=Fabricationofsilicon-basedmicrostructuresandtheirapplicationinmi-crochipsE刊,中]／孙洋(清华大学深圳研究生院．广东,深圳(518057)),钱可元…∥半导体光电．-2004,25(6)．-477-479,483基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻

简介：低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一，也可以用于集成电路钝化膜制备。