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9 个结果
  • 简介:应力控制技术的目的是研究大口径元件装校和安装过程中引入的应力对面形的影响以及相应的控制方法,实现应力控制装校,尽可能校正上述3种原因造成的面形误差。利用Ansys软件建立反射镜和晶体的装校应力与面形关系模型,建立模拟实验平台,验证理论模型,寻找最优化的装校方案,形成应力控制装校技术的工艺指导文件。

  • 标签: 应力控制技术 光学元件 装校 ANSYS软件 面形误差 模拟实验平台
  • 简介:硅泡沫是以硅橡胶混炼胶为基体材料、经硫化发泡后制得的一种多孔黏弹性高分子材料,具有许多其它材料所不能同时具备的优异性能,在军事武器装备上具有重要用途。硅泡沫作为功能部件,通常用于精密部件的定位、减振和防转,必须具有较低的压缩永久变形、高的压缩载荷保持率和长寿命等特性,而硅泡沫的这些特性都与其应力松弛有一定的关系,因此有必要研究硅泡沫压缩应力松弛的影响因素。

  • 标签: 压缩应力松弛 影响因素 硅橡胶 泡沫 压缩永久变形 基体材料
  • 简介:基于球形发散波实验技术及圆环型电磁粒子速度测试技术,采用0.125gTNT当量的微型炸药作为爆炸源,对填实爆炸下有机玻璃中球形波的传播规律进行了实验研究,并基于粒子速度波形进行了分析.结果表明:粒子速度、位移幅值的衰减指数分别为1.34和1.28,粒子速度幅值及粒子位移幅值符合指数衰减规律;负向粒子速度幅值随比距离的增加有先增大后减少的趋势;基于强间断假设得到的低压下(小于1GPa)径向压力幅值σ粒子速度幅值υ关系和一维应变下得到的σ-υHugoniot曲线吻合较好;采用变模量模型假设,结合粒子速度数据反演的有机玻璃力弹性模量E为(6.40±0.64)GPa、体积模量K为(7.12±0.71)GPa、剪切模量G为(2.37±0.24)GPa.

  • 标签: 爆炸与冲击 球面应力波 微药量爆炸 粒子速度计 有机玻璃
  • 简介:Nd:YAG薄片激光介质一个表面采用二极管阵列泵浦,另一个表面冷却的工作方式,可以使薄片径向温度分布近似均匀,从而降低介质的热透镜效应和热致应力双折射。针对Nd:YAG薄片激光介质的热效应问题建立了理论计算模型。分别计算了在不同泵浦条件下薄片的温度分布和应力大小,薄片泵浦条件变化与应力的关系,以及在Nd:YAG薄片与Cu冷却器之间增加与Nd:YAG热膨胀系数相近的介质层材料(复合金刚石)对应力影响的关系。

  • 标签: 应力双折射 薄片激光 介质温度 数值模拟 ND:YAG 高功率
  • 简介:通过对简支梁受力前后的双曝光全息图进行再现,利用透过全息图的条纹解释办法,分别用目测和数字图像处理办法测量物面上干涉条纹间距,从而得出简支梁的挠度;再利用最小二乘法求出被测物件的弹性模量。

  • 标签: 干涉条纹 条纹间距 弹性模量 简支梁
  • 简介:产品装配过程中起吊螺栓连接产品和吊具,完成产品上升、翻转和下降等操作。文中用ANSYS软件分析模块分析起吊螺栓的应力,并根据螺栓尺寸、物理特性和载荷的随机分布,得到应力的随机分布。

  • 标签: 螺栓连接 应力分析 随机分布 起吊 有限元法 ANSYS软件分析
  • 简介:目的:研究P波斜入射下的地基动应力路径,探讨其影响因素和可能变化范围,为进一步研究斜入射地震波作用下场地动力响应奠定理论基础。创新点:1.从数学上证明斜入射P波在任一深度的地基中形成的应力路径在剪应力分量(偏差正应力-水平剪应力)组成的平面中为一个斜椭圆;2.分析了P波入射角、土体泊松比和单位波长深度对斜椭圆应力路径形状与大小的影响。方法:1.基于半无限弹性空间的地震波传播理论,考虑地震波在自由界面的反射,推导土体中任一深度处由P波斜入射产生的动应力,并表示成由剪应力分量组成的平面下的应力路径(公式(9))及该应力路径的特征参数表达式(公式(A12)~(A14));2.通过控制变量法,分析参数敏感性(图7、9、10和12)。结论:1.虽然证实P波斜入射引起的应力路径为斜椭圆形式,但在地基深度、入射波频率和波速的特定组合下,斜椭圆仍可从斜线一直变化到圆形,形式较为多样化;2.P波斜入射角度在30?~60?时引起的动偏应力幅最大,最大可达同等条件下其它入射角产生的动应力幅的2倍以上;3.斜入射角大于45?后,斜椭圆路径形状几乎不随入射角改变,在研究范围内以竖直扁椭圆形为主;4.土体饱和度大于70%时,泊松比的变化对土体斜椭圆路径形状影响不大,但动应力幅随泊松比增大而显著降低。

  • 标签: 近场地震 P波 斜入射 弹性半空间 动应力路径
  • 简介:为提高铁电薄膜的电性能,建立了一个相场理论模型,系统研究了斜切基底对铁电薄膜电畴结构及电学性能的调控机理。利用该模型,分别研究了PbTiO_3在平面基底和倾角为2°,4°,6°SrTiO_3斜切基底上的电学性能。模拟结果表明:生长在斜切基底上的铁电薄膜中的应力分布、电畴结构及畴翻转不同于生长于平面基底上的铁电薄膜。在斜切基底的束缚作用下,铁电薄膜内靠近斜切台阶处产生了应力集中,产生的非均匀应变是改变铁电薄膜性质的主要因素。在台阶高度固定的情况下,PbTiO_3铁电薄膜矫顽场随斜切基底的倾角增大而变大,极化稳定性增强。

  • 标签: 铁电薄膜 界面效应 相场模拟 斜切基底