简介：基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管，设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生器。其性能指标为高压脉冲幅度一100～-1000V，脉冲宽度40ns～2μs，脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化，可小于30ns，输出负载为50Ω作为一种模拟源，该高压脉冲信号发生器已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。

简介：用常规的浸渍-还原法制备Pt／C催化剂，如果条件控制不好，制备出的Pt粒子大小和分散度不均，且易出现团聚。文中的主要目的是用微波密闭加热的方法，研究制备条件对Pt粒子大小的影响，制备高分散度且Pt粒径大小在一定范围内可控的Pt／C催化剂。

简介：测试了在高能电子辐照和高工作电压共同作用下，星用高压电缆的静电放电信号。同时，利用蒙特卡罗方法分析了高能电子沉积位置，并利用有限元法分析了高工作电压下，高压电缆的内部电场分布及变化。

简介：材料高压下的状态方程（EOS）在天体物理、材料科学和惯性约束聚变（ICF）等研究领域中都是十分重要的。2004年在“神光”-Ⅱ装置上进行了单路倍频激光直接驱动的Al-Cu阻抗匹配靶实验和Cu-Al阻抗反匹配实验，目的是提高冲击波速度的测量精度和准确性，同时校验测量方法的实用性和可靠性。

简介：在高压下使用的压力容器、阀门等产品，制成后需进行耐压试验和气密性试验以保证产品在工作压力下不泄漏。为此，研究设计了一套可采取自动和手动两种控制方式，对高压容器等产品安全地进行耐压、气密性试验的充气系统，及可在气密试验压力下检测漏率值的真空检漏系统。

简介：建立了低地球轨道（lowearthorbit,LEO）等离子体环境下,高压太阳电池阵收集电流的计算方法,计算获得了不同等离子体环境和卫星工作状况下,高压太阳电池的收集电流。分析表明,等离子体密度越高,温度越小,高压太阳电池收集电流非线性增加;同时,太阳电池收集电流随卫星功率和工作电压的增加而迅速增加。

简介：为研究几十微秒脉冲作用下高压气体中绝缘材料的沿面闪络特性,研制了一个高电压绝缘测试平台。该平台通过高压电容对同轴线进行谐振充电,谐振倍压可达1.6,输出电压可达350kV,充电时间约30μs。在0.4MPa高压氮气环境下对平板结构的尼龙和有机玻璃沿面闪络特性展开实验研究,利用韦伯统计分析工具,发现闪络发生概率为0.1%时,有机玻璃的沿面最大电场强度是尼龙的1.64倍。分析了两种不同刻槽结构对有机玻璃沿面闪络电压的影响,发现半圆形刻槽能更好提升沿面闪络电压,因为这种结构更能抑制电子沿材料表面的运动。

简介：MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此，在研制过程中，解决了用多个场效应管串、并联组合，形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关；用多个脉冲变压器并联，对大电流开关输出的信号进行放大和成形；用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术，采用稳定的开关器件等技术和工艺，解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管，替代国外氢闸流管部分用途的功能。

简介：测定了在高压条件下两种金属(钙和锌）的8-羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位X光衍射光谱．结果表明，压力对其发光性质产生极大的影响．随着压力的增加，8—羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加，随后发光强度快速下降．到7GPa左右时几乎为零，而8-羟基喹啉锌的发光强度随压力的增加而逐渐降低，到7GPa左右时约为常压的10％。高压下的原位X光衍射结果表明，8—羟基喹啉锌的晶体在3—4GPa开始发生非品化相变，在7GPa时该非晶化相变完成，样品的x光衍射完全消失．而8—羟基喹啉锌在压力的作用下(至16GPa)没有发生明显的相变。

简介：本文首次采用高温高压固相反应法合成类钙钛矿化合物Ba1－xLaxTiO3（x＝0．0，0．1，0．2，0．3，0．4，0．5）。XRD谱的测量结果表明，在压力为2．8GPa，温度为850℃下，稀土La在BaTiO3中的替代导致结构从立方到四方到正交的结构转变，因此，Ba1－xLaxTiO3体系体现结构转变规律和丰富的物相结构。

简介：防困倦器（Anti-sleeping）的设计与制作是为了提醒即将进入睡眠状态的人快速恢复到学习、工作等事务中去。该装置主要基于ENC-03RC单轴陀螺仪传感器与STCl5F104W单片机，并通过外围的数字电路以实现对使用者头部运动的监控与适时提醒。