简介：利用同步辐射对天然金刚石晶体进行了形貌学研究，在近完事晶体内观察到晶体以平行{100}生长为主的正常生长，而不是前人所常见的平行{111}生长。生长带方向平行于（100）、（100）和（010）、（010）。生长带分布在偏离晶体中心的曲面内。由生长带的分布与形态可以观察到晶体不同晶面的生长速度具有明显差异。

简介：纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H2混合气，V（CH4）：V（H2）=1％-4％，基体温度800-1000℃，沉积时气压为0．8～2．0kPa。SEM观察表明，影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度，这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。

简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属1a型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究．在近完整晶体内近中心的001)和(010）结晶学平面内观察到生长带，生长方向平行于(100）和(010)．在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5^*以上．晶体完整性与氮含量无明显相关关系．

简介：采用等离子体预处理技术和优化的金刚石薄膜沉积工艺，以期为金刚石薄膜涂层工具的制备开发一种新的实用易行的表面预处理方法。等离子体预处理和金刚石薄膜沉积都在自行研制的热丝CVD系统中进行的。等离子体预处理是在脱炭气氛中进行，基体温度控制在硬质合金的再结晶温度范围内，处理总时间为2h。

简介：理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100％的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准，建立了化学气相沉积（chemicalvapordeposition，CVD）金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明：所研制的CVD金刚石薄膜探测器，在600V饱和偏压下，电荷收集效率在常态时为55％，在“priming”状态时可达69％。

简介：3，4-二（硝基呋咱基）氧化呋咱（DNTF）是一新型高能量密度化合物，其感度较HMX的低，能量较HMX的高，与CL-20的相当。文中对DNTF及其中间体3-氨基-4-酰胺肟基呋咱（AAOF），3-氨基-4-酰氯肟基呋咱（ACOF），3，4-二（氨基呋咱基）氧化呋咱（DATF）及其异构体3，6-二（3＇-氨基呋咱基-4-基）-1，4-二氧杂-2，5-二氮杂环己-2，5-二烯（BADDD）的合成，表征和主要的物化和炸药性能进行了报道。

简介：介绍了当前高功率微波（highpowermicrowave,HPM）能量合成和功率合成的研究进展,并思考了下一步可能的发展方向。能量合成的关键在于HPM合成器,基于过模圆波导TM01模式滤波器的HPM合成器,能实现两路微波信号的同极化通道合路,并有效提高合成器的功率容量;在此基础上形成的滤波器及合成器网络,能够实现HPM多波段、多频率工作,或产生拍波。功率合成的关键在于对单个HPM微波源的频率和相位的控制。基于小信号相位牵引的新方法,实现了GW量级的HPM相位控制,注入功率比接近-43dB;同时,结合强流电子束加速器的同步控制、大功率固态注入源及相控阵天线等关键技术的发展,这些研究可为HPM源空间功率合成技术奠定基础。

简介：教学案例是真实而又典型且含有问题的事件。一个教学案例就是一个教学实践过程中的故事,描述的是教学过程中＂意料之外,情理之中的事＂。本案例的执教教师试尝＂学生自主探索、合作交流,教师引导为主,帮助为辅＂的主要教学方式,鼓励学生积极思考、主动发言并上台展示。课堂教学中,探究力的合成和分解的方法都在老师的指导下,由学生探究完成。学生在教师的引领下,在学习目标问题的驱动下,全体学生都参与到学习中来,并在探索中高效的完成本节的学习任务。

简介：利用倍频电路产生十路不同频率的相干信号,通过滤波、移相、幅度调整、加法器、乘法器等电路可实现用多路正弦信号做波形合成、两路信号的同向振动合成,李萨茹图形、调幅波等实验及演示.

简介：水溶性高分子近年来引起了科学界的广泛关注，己广泛用在药物合成、作血浆替代物和药物输运载体。自1968年Heskins发现聚N-异丙基丙烯酰胺（PNIPAAm）水溶液具有最低临界溶液温度的特性以来，热敏高分子成为国际上的研究热点之一。基于聚N-异丙基丙烯酰胺和聚N-异丙基甲基丙烯酰胺的热敏高分子因其独特的温度敏感性还可应用于控制释放、酶的固化、循环吸收和免疫分析等领域，这种高分子的一个显著特点就是有一个固定的较低相转变温度（约30-31℃），在很窄的温度范围内其溶解度会发生显著变化，而且在高温时溶解度降低。

简介：本文通过用双踪示波器来观察李萨如图形和'拍'现象,加深学生对两种特殊形式的简谐振动合成的理解.

简介：基于反射原理,研究由三块三平面镜组合的直角三面镜的成像特点和规律。通过作图,讨论和研究直角三面镜的成像作图规律。该讨论和研究对理解多平面镜组合成像规律及应用有一定指导意义,丰富了教学和实践活动。

简介：2002年初在HPM脉冲压缩实验中用微波自击穿开关和储能切换法脉冲压缩技术获得了功率339MW，脉宽11．4ns，功率增益79．5倍，重复频率12．5Hz的微波脉冲输出。为了进一步提高脉冲压缩系统的稳定性和输出功率水平，提出了HPM脉冲压缩双路并联功率合成的最新方法，在2004年内进行了实验系统的调试及初步的实验研究工作。

简介：在通常用于合成中孔ＭＣＭ－４１分子筛的反应体系中，用氨水、ＮａＯＨ或四乙基氢氧化胺作催化剂，在较低的ｐＨ值下合成出具有独特Ｎ２吸附等温线和狭窄双峰中孔分布的双中孔ＳｉＯ２材料。实验表明，在所使用的反应体系中，双中孔ＳｉＯ２结构是一种必然的物相，且反应体系的ｐＨ值调节在合成中起决定性作用。当反应体系的ｐＨ值从约９．５增加到１１时，相应产物的孔径分布由双中孔转变为单中孔分布。这些结果为进一步深入理解中孔材料的形成机理提供了新的视野。合成样品用ＸＲＤ和Ｎ２吸附等温线进行了表征。更多还原

简介：由于碳化硼陶瓷具有强度高，耐高温等诸多优点，因此碳化硼陶瓷微球可实现微球的高压充气，但碳化硼微球不利用碳化硼陶瓷材料直接发泡成球，故采用先驱体聚合物转化法制备出聚合物微球，再陶瓷化得到碳化硼陶瓷微球。聚间亚苯基硼是一种较好的制备碳化硼陶瓷的先驱体聚合物，而制备聚合物微球时先驱体聚合物需要达到一定的分子量。利用改进的有机金属路线合成得到了较高产率的大分子有机硼烷．聚间亚苯基硼。

简介：辐射输运研究是惯性约束聚变实验研究的重要内容。在这类实验中需要研究辐射输运沿柱腔内填充的聚合物泡沫材料的传输问题。多元丙烯酸酯聚合物泡沫适用于ICF柱腔靶填充泡沫，并且可以直接在柱腔或各种形状的靶中成型，无须后续的精密加工过程，消除了泡沫柱与柱腔之间的装配误差。

简介：按催化剂分类介绍了改性ＦＴ合成及与其相关反应的近期研究成果。即通过调制催化剂组成和反应条件，由合成气直接合成其他有价值的化工原料如醇、烯烃、芳香烃和石蜡等。分子筛，如ＡＩ－ＭＣＭ－４１和ＺＳＭ－５／磷铝分子筛等在ＦＴ及其相关反应中扮演着越来越重要的角色，但由于金属作为反应活性中心，所以金属催化剂如Ｆｅ，Ｃｏ、Ｐｄ、Ｒｈ和Ｎｉ，双金属如Ｆｅ－Ｉｒ和Ｐｔ－Ｍｏ仍然是人们研究的重点。另外，一些新的反应方法和新的材料也被采用，如超临界方法及超微粒催化剂等。

简介：以呋咱环为基本结构单元可以构建多系列性能优异的新型呋咱含能衍生物，它们一般具有能量密度高，标准生成焓大，氮含量高以及分子热力学稳定性较好等优点。3-叠氮-4-氨基呋咱（AAF）作为合成三唑联呋咱、多叠氮基呋咱、呋咱醚、腈基呋咱等多类含能化合物的重要中间体，而且本身也是一个高能量密度化合物，因此探讨其合成方法具有一定的意义。3-叠氮-4-氨基呋咱的合成路线如图1所示，合成分为3步：第一步是乙二醛与盐酸羟胺在氢氧化钠溶液中发生加成缩合反应得N-氨基乙二肟（DAG）。该反应具有强放热性，实验操作应小心。

简介：基于传输线变压器原理,设计了一种适用于超宽谱脉冲功率合成的结构。该结构采用二级合成方式,在功率合成的同时实现向高特性阻抗超宽带天线匹配馈电。用4路超宽谱脉冲源进行了功率合成实验,每路脉冲电压1.7kV,前沿200ps,4路同步最大延迟20ps,合成脉冲馈入特性阻抗为200Ω的超宽带天线进行辐射。测量结果表明,采用该功率合成结构的天线辐射场强比单路馈电提高1倍,在20kHz重复频率下工作稳定。实验验证了利用传输线变压器原理进行超宽谱电磁脉冲功率合成的可行性和高效性。

简介：针对传统简谐振动图像演示仪存在的不足，气垫弹簧振子简谐振动正弦曲线合成演绘仪利用气垫导轨，在弹簧振子上安装一强激光器，在气垫导轨的前端安放一热转印卷纸的走纸机构，当弹簧振子在气垫导轨上作简谐振动时激光器跟随振子一起运动，强激光打在匀速向上运动的卷纸上，两运动一合成得到简谐振动正弦曲线图像。仪器结构简单，操作方便，学生能很好理解简谐振动曲线的形成过程，演示效果好。