简介:半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。
简介:本文译自A.P.FRENCH主编的《工程技术领域中的物理学》(PhysicsInATechnologicalWorld)一书中的《1987年物理学现状》(TheStateotPhysics—1987),作者D.AllanBromley对1987年以前物理学状况的巡礼,就物理学的柱石、自然界的作用力、基本粒子物理学、核物理、原子物理、等离子体物理、凝聚态物理、光学、混沌物理、地球物理、天体物理及引力波等方面作了极其广泛和深刻的综述。限于篇幅,此处仅选择其中的原子物理部份。二十世纪的科学与技术的发展,与原子物理学的进展息息相关,本文给出了一个维妙的景象。