简介：根据电磁波理论,对复合绝缘介质同轴结构的传输性能进行了分析,提出了复合绝缘介质同轴结构特性阻抗的共面补偿方法,推导了关键参数的计算公式,设计了3种模型;然后利用高频结构软件对设计模型的电压驻波比进行了模拟计算,并进行了对比分析,讨论了复合绝缘介质同轴结构设计中几个关键参数对电压驻波比的影响。模拟结果表明,提出的共面补偿方法适用于复合绝缘介质同轴结构的特性阻抗补偿,可以降低电压驻波比,从而提高同轴结构的传输性能。

简介：针对电力系统实验不能在现场模拟操作而使学生能更好的了解电力系统的现象,研究设计了一种变电站直流系统绝缘监察仿真装置。该装置能模拟直流系统金属性和非金属性接地,利用警铃和光字牌的声、光效果来模拟直流接地时绝缘监察装置发出的音响信号和灯光信号,及早发现绝缘降低并处理。该装置能完成电气类学生的专业课实验,填补了本专业在直流接地方面教学中的空白,实现了学生能在课堂上操作模拟现场现象,将教学和现场实践有机结合,到达较好的教学效果。

简介：基于Thevenin原理，建立了一种多级串联磁绝缘感应电压叠加器（magnetically—insulatedinductionvoltageadder，MIVA）等效电路模型。依据磁绝缘限定条件，给出了MI—VA次级磁绝缘传输线（magnetically—insulatedtransmissionline，MITL）最小磁绝缘电流估计方法。仿真分析了12级串联MIVA电压和电流输出特性，结合X射线剂量率计算式，给出了X射线剂量率随次级MITL运行阻抗变化的分布规律。结果表明，多级串联MIVA输出X射线剂量率随次级运行阻抗的增大呈先增大后减小的趋势，MITL存在一个最佳运行阻抗，可使输出的X射线剂量率最大。基于Mendel和Creedon磁绝缘模型，对比给出了次级MITL几何阻抗的两种估计模型，结果表明，除第1级外，其余各级用两种模型估计的几何阻抗偏差系数均小于2％。

简介：为研究几十微秒脉冲作用下高压气体中绝缘材料的沿面闪络特性,研制了一个高电压绝缘测试平台。该平台通过高压电容对同轴线进行谐振充电,谐振倍压可达1.6,输出电压可达350kV,充电时间约30μs。在0.4MPa高压氮气环境下对平板结构的尼龙和有机玻璃沿面闪络特性展开实验研究,利用韦伯统计分析工具,发现闪络发生概率为0.1%时,有机玻璃的沿面最大电场强度是尼龙的1.64倍。分析了两种不同刻槽结构对有机玻璃沿面闪络电压的影响,发现半圆形刻槽能更好提升沿面闪络电压,因为这种结构更能抑制电子沿材料表面的运动。

简介：利用数值方法计算了磁绝缘线振荡器（MILO）主慢波结构谐振腔和扼流腔的谐振频率和场分布，得出慢波结构谐振腔谐振频率的一些变化规律：随着叶片内半径的增大、叶片外半径的减小、叶片周期的减小以及叶片间距的减小，谐振腔TM01模式截止频率升高；而阴极半径的变化对截止频率几乎无影响。当主慢波结构腔内半径为4．6cm，扼流腔内半径为4．2cm，阴极半径为3cm时，MILO工作在3．“4．4GHz频率范围，扼流片可以阻止微波功率向脉冲功率源泄漏，这有利于提高器件微波输出的效率;

简介：利用精确对角化的方法求解了一维光学超晶格中的玻色-赫伯德哈密顿量,发现体系的量子相变依赖于比值U/J。U/J由零开始增大,超流态逐渐被破坏,系统由超流态向模特绝缘态转变。当U/J≧2.25时体系变为模特绝缘态。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。