简介：现将笔者94年参加国际中专物理救育学术讨论会及会后学习《国际物理教育通讯》的体会及在教改中见到的效果，向中心领导汇报，不当之处，请指教。

简介：【本节需学习的内容】本节内容主要是电压表的使用以及串、并联电路的电压特点．【知识回顾】电流表的构造如何？使用注意点有哪些？串联、并联电路电流特点有哪些？电路中为什么会形成电流？（类比水流的形成来理解）

简介：【本节需学习的内容】本节教材安排了电压、电压表的使用以及串并联电路的电压特点三大部分内容．通过与水压的类比了解电压的概念，知道电源提供了电压，电压形成了电流，知道电压的国际单位及单位换算关系，记住干电池、蓄电池和家庭照明电路的电压值．

简介：本文提出了利用声反馈测声速的新方法，详细地给出了其理论依据

简介：通过实例,介绍了一种简洁的负反馈放大电路的分析方法。

简介：着重描述了似稳场定义和似稳条件，以及不同电磁场中电压和电势差的异同。

简介：本文介绍了在ＵＪ５２多量限电位差计中用ＬＭ３９９代替锌汞电池的电路和方法。取得了较好的效果。

简介：分析了电压串联负反馈放大器理论教材与实验教材中的差别,指出实验教材测试电路中存在的问题,讨论并完善了实验电路。

简介：课本上对“安全电压”是这样表述的：经验证明，只有不高于36V的电压才是安全的．

简介：电压表是初中物理电学中一种最常用的测量电压的仪表，但在实际应用中它却可以变换多个角色来测量不同的量．下面用近两年的中考热点问题来说明它的不同用途．

简介：降低冲击片雷管的起爆电压，对降低武器引控系统的体积具有重要的意义。对降低冲击片雷管起爆电压的方法进行了探索，通过低电感电缆的研制，降低回路电感，提高能量利用率；进行了起爆电压和飞片速度的关系试验，对起爆电压的选择提供了依据。

简介：用实验的方法，研究电流并联负反馈对放大器性能的改善，提出电流型、并联型负反馈放大器性能参数的测量方法。

简介：分析二极管半波整流电容滤波电路中的电压波形，利用matlab数值分析方法计算出输出电压到达最大值后下降的波形，时间常数在工程范围取值内，电压输出波形将按照指数曲线规律下降；只有在时间常数很小的情况下，电压输出波形才出现短时间的正弦规律下降曲线，然后再按指数曲线规律下降。同时用仿真软件与实验平台证实了该结论的正确性。

简介：在苏科版教材九年级“欧姆定律”一节中“探究通过导体的电流与电压、电阻的关系”的活动中，保持电阻两端的电压不变，研究通过电阻的电流与电阻大小的关系时，对于“保持电压不变”这一环节，在说法上学生不难理解，但在实验操作时却很难做好．其原因是电压不仅变了，而且要变两次，至于为什么会有这样的两次变化，在初次进行这一问题的探究时，还不能作出解释，教师切不可一步到位．

简介：本文通过对示波器中电子束受电场力作用产生偏移的推导,对示波器中锯齿波电压下电子的匀速运动,以及水平扫描线的形成作进一步的论述.

简介：高电压技术与脉冲功率技术、激光技术、加速器和高能物理等技术密切相关，为保证高电压领域量值的准确统一并适应冲击高电压研究和冲击耐压试验的发展需求，计量测试中心在已建有200kV直流高电压和100kv工频高电压标准装置的基础上，于2006年又组建了500kV冲击高电压校准系统。

简介：基于Thevenin原理，建立了一种多级串联磁绝缘感应电压叠加器（magnetically—insulatedinductionvoltageadder，MIVA）等效电路模型。依据磁绝缘限定条件，给出了MI—VA次级磁绝缘传输线（magnetically—insulatedtransmissionline，MITL）最小磁绝缘电流估计方法。仿真分析了12级串联MIVA电压和电流输出特性，结合X射线剂量率计算式，给出了X射线剂量率随次级MITL运行阻抗变化的分布规律。结果表明，多级串联MIVA输出X射线剂量率随次级运行阻抗的增大呈先增大后减小的趋势，MITL存在一个最佳运行阻抗，可使输出的X射线剂量率最大。基于Mendel和Creedon磁绝缘模型，对比给出了次级MITL几何阻抗的两种估计模型，结果表明，除第1级外，其余各级用两种模型估计的几何阻抗偏差系数均小于2％。

简介：利用晶体管直流增益随中子辐照注量的变化关系,建立了基于电压补偿的晶体管直流增益在线测试系统,以模块化软件架构设计方法及电压回读技术,实现了不同辐照功率下晶体管直流增益的实时监测,获得了辐照期间晶体管器件敏感参数的变化规律。结果表明,在不同中子注量辐照下,研制的直流增益在线测试系统可满足晶体管损伤效应的实时测量要求,系统的测试精度达0.2%。

简介：提出了一种可用于微秒脉冲电压下的2MV电容耦合自触发开关模式，该开关具有结构简单、高可靠性等特点。通过电场分布计算及电路计算得到开关关键绝缘参数和电路参数。计算结果表明，设计触发间隙电压为主间隙电压的1.21%，该开关主间隙场不均匀系数为1.64,开关在0.7MPa的SF,;气体中工作电压为2.27MV。

简介：对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响：随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.