简介:TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]/王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅//红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)
简介:O441.42005042976太赫兹(THz)成像的进展概况=ReviewoftheprogressofT-rayimaging[刊,中]/张蕾(首都师范大学物理系,北京(100037)),徐新龙…//量子电子学报,-2005,22(2),-129-134评述了太赫兹射线成像的进展情况。太赫兹(THz)辐射介于微波和红外之间。与微波、X射线、核磁共振(NMR)成像相比,太赫兹成像不仅能给出物体的密度信息,而且能给出频率域的信息,以及在光频、微波和X射线范围内所不能给出的材料的转动、振动信息。太赫兹射线与其他频段的电磁波相比,它能量低,不会造成对生物样
简介:O484.12000031960一种碳涂覆光纤碳膜厚度在线控制技术=Anonlinecontinuousmoniforingtechniqueofcarbonhermeticcoatingthickness[刊,中]/仇斌(深圳宝兴电线电缆制造有限公司.广东,深圳(518000))//应用光学.—1999,20(3).—40-41为了控制长长度碳涂覆光纤和对光纤碳膜厚度进行在线监控,开发了一种碳涂覆光纤碳膜厚度在线监控技术。试验结果表明,该技术是行之有效的。图2参4(吴淑珍)TB432000031961阳极氧化法制备多孔氧化铝膜的研究=Researchon
简介:TN305.72002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximitycorrectionforimprovingpatternqualityinsubmicronphotolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.72002032299光刻技术在微细加工中的应用=Applicationoflithographytechnologytomicroelectronicmanufacturing[刊,中]/刘建海(上海先进半导体制造有限
简介:O461.212005042978微空心阴极放电与准分子光源=Microhollowcathodedis-chargeandexcimerlightsource[刊,中]/江超(华中科技大学激光技术国家重点实验室.湖北,武汉(430074)),王又青//量子电子学报,-2005,22(2),-142,149综述了微空心阴极放电的基本原理;详细论述了微空心阴极放电中的准分子辐射,以及微空心阴极放电的放电方式(直流放电、脉冲放电、射频放电)对准分子辐射强度和效率的影响。最后论述了微空心阴极放电的运行方式(串联运行、并联运行)对准分子辐射的影响。图13表1参21(王淑平)