简介：为了解决高速CCD成像电路串扰问题,分析了产生串扰的原因,建立了CCD成像电路的串扰模型,提出了有效的抗串扰技术。对多通道的CCD视频信号采用带状线而非微带线并使用防护布线进行隔离。对多通道的电源供电进行了隔离,设计并采取有效的去耦电容布线方法,降低了寄生电感,避免了由电源公共阻抗引起的串扰。采用统一的地平面,对模拟电路和数字电路进行分区布局,避免了地弹对信号的影响。针对一个串扰较严重的CCD成像电路进行了实验,结果表明：采取上述抗串扰技术后,通道隔离度大于60dB,有效降低了串扰,提高了图像质量。

简介：运用涡旋电场的概念讨论分析了抗磁质在外磁场中磁化过程抗磁性的起因。

简介：抗振型的闪烁探测器集双套独立的探测系统于一体，具备独立的自检功能，能够广泛应用于环境条件恶劣、小型化要求高的中子测量研究。

简介：通过对TATB基复合炸药中TATB的改性，探索降低装药冲击片起爆阈值的可能性。主要通过进一步细化TATB炸药，增加其比表面积，提高装药的冲击片起爆感度。制备了3组TATB为纳米网格状态的复合始发药（装药密度为1．73～1．74g／cm^3），装配成冲击片雷管，采用感度升降法测试这几组状态始发药的冲击片雷管起爆阈值，通过与相同组分的亚微米TATB复合始发药起爆阈值进行对比，考察纳米网格TATB复合始发药对冲击片雷管起爆感度的影响。

简介：为解决常规药型罩破片群成型中存在的径向发散不足的问题，对传统的成型弹体结构进行了改进，并对药型罩破片群的成型过程进行了数值仿真，最后通过靶板效应实验进行了验证。研究结果表明，药型罩破片群的径向发散能力得到了有效增强，形成的破片群径向散布角达到18°。

简介：推导了考虑爆炸产物发生化学反应时,约束空间内准静态压力的计算公式.以TNT炸药发生约束爆炸为例,分析了不同药量体积比下爆炸产物的化学反应动力学过程.编写了计算TNT炸药约束爆炸后准静态压力的程序,将程序计算结果与实验测量结果和ConWep程序计算结果进行对比,验证了计算方法的准确性,证明了爆炸产物发生化学反应对约束爆炸准静态压力有重要的影响.考虑爆炸产物发生化学反应对压力的影响,利用LS-DYNA对TNT炸药在一长方体药室内的爆炸进行了数值模拟,模拟结果表明,考虑爆炸产物发生化学反应时,药室会出现局部塑性应变与应力集中现象,最大塑性应变达到0.8‰.

简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：回顾了平行系统理论的提出过程,总结了理论的具体内容,介绍了理论的发展和应用情况。通过分析抗辐射加固系统的特点,认为运用平行系统理论解决抗辐射性能评估难题在理论上是基本可行的。最后,提出了开展抗辐射性能评估平行试验需要重点研究的几个关键问题。

简介：针对应用于可调谐二极管激光吸收光谱(TDLAS)技术研究中的一种集成化光学系统,利用有限元分析方法,建立系统有限元模型,分析了系统模态和谐响应特性;通过振动台实验测试了系统结构的动力学特性,获得了系统结构在不同动力载荷作用下的幅频曲线.结合数值模拟和测试结果获得了系统抗振性能,给出了系统所能承受的环境振动频率范围.结果表明,该光学系统在900Hz以内的振动环境下具有良好的抗振性能,可以应用于现场测试诊断.