简介：从中子扩散方程出发建立泛函，通过Galerkin变分和Ritz离散推导得到求解中子扩散方程的变分节块法理论模型，开发了适用于三维矩形几何的反应堆堆芯计算程序VIOLET，计算了不带不连续因子的压水堆堆芯计算基准题和带有不连续因子的沸水堆堆芯计算基准题，结果验证了理论模型和计算程序是正确、可靠的。

简介：分析了装配误差引起的相位板倾斜对波前编码系统的影响,通过坐标变换推导了相应条件下的广义光瞳函数。结果表明：倾斜因子对系统的相位板系数具有放大效果,其随倾斜角绝对值的增大而增大,而与倾斜角的正负无关。相位板倾斜会放大系统点扩散函数包络面的两条直角边,相应地降低其光学传递函数值。在子午倾斜的条件下,子午方向的相位板系数放大效果大于弧矢方向,从而导致点扩散函数包络面在子午方向的放大效果大于弧矢方向,子午方向光学传递函数值的降低效果大于弧矢方向。采用MATLAB以及商用光学软件进行仿真实验,验证了上述结论。

简介：利用格子气自动机模拟扩散现象,呈现了扩散的细节。文中对模拟过程的讨论和分析,可为格子气自动机方法应用于大学物理虚拟实验提供参考,也为将其他复杂系统模拟方法应用于物理教学提供借鉴。

简介：目的：探索长时间停流情况下高扬程虹吸管中空气累积现象的发生发展及其对虹吸持续工作的危害，并给出应对该现象的工程预防措施。创新点：利用物理模型实验，结合理论解析推导，得到高扬程虹吸管内空气累积的原因及关键影响因素，突破高扬程虹吸排水在少雨地区的使用局限，给出其长期适用的工程设计条件，对其在实际边坡工程中的推广应用提供理论技术指导。方法：通过物理模型试验，揭示长期停流虹吸管内出现空气累积的必然性；利用理论公式推导，对不同因素的影响结果进行对比分析，得出影响空气累积的主要因素。结论：1．溶于水的空气因压力降低而析出、管端空气溶入扩散到虹吸管顶部及温度变化引起空气析出等现象是无法避免的；其中，原有空气的析出及温度变化引起的空气累积是主要因素；2．边坡虹吸排水设计时进水端口距控制水位至少应预留2．05m的地下水位上升余量，或者保持出水口的高程比进水口高程低4．1m来保证析出卒气段处于下水管中。

简介：采用拉格朗日方法模拟计算了湍流边界层中气相粒子和颗粒物的运动。其中,气相粒子在流场中按平均风速输送,用一系列随机位移,模拟湍流对扩散的影响,分析了颗粒物在流场中的受力情况,建立了求解颗粒物扩散轨迹的牛顿运动方程。用该方法模拟平板边界层内颗粒物的扩散行为,给出了颗粒物受力及在边界层内的运动轨迹,并将计算的质量通量与文献中的实测值进行了比较。结果表明：计算值与实测值基本吻合,初步验证了本文方法在模拟颗粒物扩散时的可靠性。

简介：蓝牙安全问题是除价格之外直接制约蓝牙技术广泛应用的瓶颈之一,文章通过对其安全结构、安全模式、安全级别、链路层安全参数、鉴权、密钥管理、加密等分析,讨论蓝牙安全体系中存在的一些问题,旨在探讨蓝牙技术在应用过程中如何能够实现一个真正的无电缆连接、方便快捷、安全可靠的通信环境。

简介：对完善的考核机制在提高实验教学质量中的作用进行了简要探讨,以例题的形式详细介绍了大学物理实验考核机制的组成部分,并强调了实施中的注意事项。

简介：为了提高Mach-Zenhder干涉仪的分辨率，需要提高探针光输出亮度。用系列程序进行了低功率密度长焦线类镍银的优化设计。1％预脉冲，驱动激光能量EL=95J，焦线100μm宽、27mm长，25mm长靶，f12=2．75ns，增益系数G=10／cm，增益长度积GL=25。

简介：本文从适应证、临床运用及遣方用药三方面对张锡纯《医学衷中参西录》中的益气活血法进行了探析。1．适应证多。可用于气血虚证、血瘀证、脾胃虚弱证、久病者等。2．运用广泛。治病近20种，如：脑贫血、虚劳、痹症、历节风、瘘废、胁痛、疮疡、癥瘕、少乳等病症。3，用药灵活。对虚中挟实之证，以补气扶正为主，佐以活血：对血瘀兼气虚证，以活血化瘀为主，佐以补气。药物选择上，益气首推黄芪，其次择白术、党参、山药；活血药中，重用当归，喜用药对乳香与没药、三棱与莪术。

简介：应用程一玻恩超导双带理论，分析了压力诱发的超导再进入现象，指出压力使费米面和上面空带的两能级分裂形成靠近的两能带，电子从费米面迁移到上面能带，造成动量空间中上面能带布里渊区电子的再次不对称分布，而产生新的超导相。

简介：根据基础物理实验教学的特点,论述了在实验预习、实验操作两阶段引入激励机制教学手法的必要性和重要性,并以迈克尔逊干涉仪实验为例,阐述了激励机制的具体实施方法。

简介：从新高考改革物理学科遇到的困境出发,分析当下电子游戏能成功的吸引学生的要素,从中提炼出物理学科可以借鉴的思路,用到新课程理念的教学模式中,寻求提高学生物理学科素养的突破口。

简介：为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响，采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰，并对ZnS及ZnS／SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异，发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS／SiO2纳米复合材料的光发射性质，分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明，SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS／SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17．5倍，但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1．1倍，这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释，且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

简介：介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.