简介:TN305.72002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximitycorrectionforimprovingpatternqualityinsubmicronphotolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.72002032299光刻技术在微细加工中的应用=Applicationoflithographytechnologytomicroelectronicmanufacturing[刊,中]/刘建海(上海先进半导体制造有限
简介:目的:水合物沉积物开采过程是一个热。水.力.化多场耦合过程,该过程包含了不同土层间的热对流、压缩引起的局部变形以及胶结结构破坏引起的应力松弛。不适当的开采会引起出砂、塌孔等破坏问题。本文旨在建立天然气水合物沉积物多场耦合计算模型,以量化由开采引起的地质灾害风险。创新点:1.通过GOMSOLMultiphysics实现水合物开采过程多场耦合有限元控制方程的计算:2.建立的模型考虑变形.渗流双向全耦合过程。方法:1.通过理论推导,给出开采天然气水合物过程模拟的控制方程;采用偏微分方程模块实现除力学之外其他物理场的耦合计算;采用结构力学模块实现变形计算。2.通过与试验数据进行比较验证模型的可靠性。3.通过对比全耦合模型与半耦合模型,分析双向耦合对水合物开采过程中沉积物物理力学行为的影响。结论:1.所建立模型能够精确模拟水合物开采过程中沉积物的物理力学行为。2.当考虑压缩对渗流的影响时,由于孔隙率的降低,计算得到的水合物分解速度要小于不考虑该影响时的速度。3.由于存在层间对流效应,非均质模型计算得到的水合物分解速度要快于均质模型。
简介:TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]/王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅//红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)