简介:用增益开关掺铥光纤激光器作种子源,搭建了一个掺铥光纤主振荡放大系统。该系统增益开关种子源最大输出功率约为250mW,斜效率为28.5%;脉冲宽度为56.5ns,脉冲峰值功率为221.2W,对应的峰值功率密度约为0.35GW·cm^-2,输出光谱的3dB线宽仅0.09nm,中心波长在1942nm处。经一级放大后,激光器输出功率提高到1.33W,一级放大器斜效率达48.6%。同时,峰值功率提高到1.2kW,对应的峰值功率密度达1.86GW·cm^-2。此时,受光谱仪分辨率的限制,测得的激光3dB线宽仅为0.06nm。在二级放大器中观察到了超连续谱输出。超连续谱覆盖2~2.6μm的光谱范围,3dB带宽约490nm。
简介:对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.