简介：为了适应Z-pinch物理实验对新材料的要求，2003年来对导电复合材料进行了初步研制。由于导电聚合物结构的特殊性，导致了导电聚合物机械加工性能很差，聚吡咯是一种具有较好的热、化学氧化和光照稳定性导电聚合物，因此利用有机材料作为基体，吸附吡咯同时进行氧化聚合，可得到性能较好导电复合材料。在导电聚合物的研制过程中，主要涉及基体材料的选择、氧化剂的选择以及反应时间对复合材料的表面电阻的影响。

简介：随着机械装置向结构复杂化发展，常需要对复杂装置的层间挤压应力等接触应力进行研究，这需要利用薄型挤压应力传感器来进行接触测量。进行层间接触测量的传感器不但应具备良好的应力敏感特性，而且应具有优良的柔韧力学性能，选用高导电纳米炭黑、球形石墨为导电粒子，硅橡胶、天然橡胶为基材开展了颗粒填充型导电高分子复合材料的配方工艺优化研究、薄膜制备及均匀性控制方法研究及感压复合材料薄膜的压力一电阻关系研究。

简介：对镁基复合储氢材料的研究现状进行了系统的阐述,并对镁基储氢材料进行了分类,比较现有制备镁基复合储氢材料的技术手段以及对储氢性能的影响

简介：芳纶纤维复合材料具有高强度、高模量、高冲击强度、纵向负热膨胀系数等特点，其应用范围非常广泛。通过对激光辐照实验回收样品的微观分析，得到在整个激光加载过程中材料的损伤过程和模式。

简介：研究了不同风速下激光辐照C/C复合材料的氧化速率,利用温度场计算结果,结合氧气在空气中的传质速率,计算了激光辐照下C/C复合材料氧化放热.结果表明,在亚音速的风速下,氧化对C/C复合材料烧蚀的贡献很小,因此,作为激光防护材料,可以忽略C/C复合材料在激光辐照期间的氧化烧蚀.

简介：在考虑材料烧蚀时参数变化及蜂窝夹芯传热能力变化的情况下，给出了激光烧蚀蜂窝夹芯复合材料的计算模型，并实验验证了模型的合理性。以碳纤维／环氧树脂-nomex蜂窝夹芯一玻璃纤维／环氧树脂复合材料为例，编程计算了材料的激光烧蚀过程，并以背表面温度为目标物理量进行了参数敏感性分析。计算结果表明，热导率及材料发射率是高敏感参数，热导率与背表面温度正相关，材料发射率与背表面温度负相关，激光功率密度越高，热导率及材料发射率的温度敏感度越高；纤维的升华可降低材料升温速率；对耐高温的蜂窝材料，激光烧蚀过程计算中，不仅要考虑背表面温度，还需要考虑热辐射功率密度。

简介：从SiCp/Al复合材料性能分析着手,讨论了预置件法、焊接法和粘接法等在空间遥感器研制中常用的联接方法的优缺点,提出了在高体积分数（体分）SiCp/Al复合材料上直接加工螺纹,并加装钢丝螺套的方法来改善螺纹联接性能。对在某高体分SiCp/Al复合材料上加工的M4、M5螺纹进行了拉伸测试,结果表明：加装钢丝螺套前,复合材料螺纹有被拉脱现象;加装钢丝螺套后,M4螺纹、螺杆在3000～4000N被拉断;M5螺纹、螺杆在8000～9000N被拉断,测试后两种规格的螺纹状态良好,可以满足实际应用对该材料拉伸强度的要求,其已应用于工程项目中。

简介：研究了石墨颗粒对混杂增强铜基复合材料摩擦磨损特性的影响。结果表明,石墨颗粒的加入同时降低了复合材料和配偶件的磨损率,有利于摩擦副系统整体寿命的提高。石墨颗粒赋予了复合材料优良的减摩特性,使滑动摩擦过程更加平稳。混杂增强铜基复合材料磨损表面形成的富石墨的MML层是导致摩擦系数降低和摩擦副系统耐磨性提高的主要原因,而SiC颗粒的承载作用则有利于石墨固体润滑作用的发挥。

简介：从能量守恒出发,将热解吸收的能量隐含于材料等效热容中,建立了连续激光辐照下碳纤维环氧树脂复合材料热响应的三维计算模型。在考虑辐射换热和表面对流换热的影响下,利用该模型计算了连续激光辐照下碳纤维环氧树脂复合材料的温度场和热解质量损失,并与实验结果进行了比较,两者比较吻合。结果表明：氮气流保护可以有效地抑制氧化效应,但实验中氧化过程不可避免;随激光辐照时间增大,试样质量损失逐渐增大,在长时间辐照下氧化带来的额外质量损失逐渐显现;在低功率密度下,试样以热解为主,质量损失随功率密度增大而增大,但随着功率密度升高,氧化的影响逐渐增强。

简介：相变材料是一类特殊的材料，在发生相变的过程中，温度可以几乎保持恒定。利用这一特点，将一定量的相变材料与基体材料复合后制成相变复合材料，可用于军事目标诱饵。在使用中通过材料的相变释放潜热来补偿热量损失，从而消除或模糊诱饵与目标之间的温差，在军事伪装研究方面具有重要意义。此外，利用相变复合材料的这种吸热一放热现象，可以做成各种贮能装置，

简介：有机-无机杂化复合纳米材料可以在微观尺寸上将有机和无机组分相结合,使复合材料兼具两种组分的优点,实现所需的性能或功能,因此成为材料学的研究热点之一。本文以有机荧光染料罗丹明、三苯胺和金属配合物发光材料为母体,制备出一系列对汞离子、铜离子、铁离子等常见金属离子具有明显光谱响应的探针类材料并选取合适的支撑基质组装成有机-无机复合材料,实现了对金属离子和一些阴离子的目视比色传感。不同离子的加入及加入顺序都会对探针类材料的吸收及发光光谱造成明显的变化。以不同的金属离子或氧气作为输入值,以吸收强度/发光强度作为输出值,模拟了分子水平的逻辑门,拓展了这些材料的应用。为了解决背景荧光干扰,我们利用六角相的β-NaYF4纳米晶为激发源,采用二氧化硅进行包覆,然后将荧光探针分子固载到二氧化硅表面,得到了对金属离子具有传感性能的核壳型的上转换纳米复合材料。在近红外激发下能够显示明亮的上转换绿光发射,同时对金属离子具有较好的选择性、较高的灵敏度,并且其荧光强度表现出对汞离子浓度的线性响应。这种纳米复合材料的上转换光学性质、汞离子传感性能使它们在分析化学、生物化学等领域有潜在的应用价值。

简介：设计了金属线电谐振器和镜像对称缺口环磁谐振器,并组合成1.0THz左手超材料.传播参数模拟表明:电谐振器和磁谐振器都有阻带特性;复合结构具有左手超材料特性频带;基板厚度变化影响左手超材料特性频带位置.后向波法证明复合结构具有左手超材料后向波特性.研究了单元缺失对电磁波在左手超材料中传播稳定性的影响.证实了太赫兹波段电谐振和磁谐振复合左手超材料方法可行.

简介：橡胶密封材料作为工程系统常用的一种密封材料，其气密性、耐老化性、力学性能等的优劣直接影响其应用效果，并间接影响工程系统寿命。纳米复合技术的诞生与发展为橡胶科学以及相关新材料研发提供了全新的思路和途径，而利用纳米层状无机物如蒙脱土、石墨等与插层复合技术制备插层型聚合物纳米复合材料是近年来的研究热点之一。

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：提出LIGA-EDM复合技术技术，即采用LIGA技术制备工具电极的微细电火花加工技术，通过同步辐射尝试光刻得到的胶结构厚度达2mm深宽比约为100，使用电铸技术得到厚度达1mm的铜工县电极，利用该电极进行微细电火花加工实验，在不锈钢上加工出异形小孔阵列．

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：根据脉冲裂变中子测量对探测系统中子灵敏度的要求，改变了传统的中子靶室探测系统的设计模式，采取最优设计方案，设计了反冲法和裂变法结合的复合靶室装置，建立了两种测量靶室组合成为靶室主体长度仅为1．1m而且需要静态真空系统的中子复合靶室装置。测量靶室系统由“靶室主体、靶室支管、辐射体和PIN电流型探测器”组成，反冲法使用的辐射体是聚乙烯薄膜(CH2)，裂变法使用的辐射体是^235U辐射体。

简介：根据电磁波理论,对复合绝缘介质同轴结构的传输性能进行了分析,提出了复合绝缘介质同轴结构特性阻抗的共面补偿方法,推导了关键参数的计算公式,设计了3种模型;然后利用高频结构软件对设计模型的电压驻波比进行了模拟计算,并进行了对比分析,讨论了复合绝缘介质同轴结构设计中几个关键参数对电压驻波比的影响。模拟结果表明,提出的共面补偿方法适用于复合绝缘介质同轴结构的特性阻抗补偿,可以降低电压驻波比,从而提高同轴结构的传输性能。

简介：在阻尼结构的设计过程中，常常需要根据实际情况，合理确定各项参数，以达到提高阻尼板对振动能量的损耗率、增强阻尼板刚度的目的。阻尼板中应变能与损耗因子的关系为η^（r）=ηeVE^（r）/V^（r）＋ηV/Vv^（r）/V^（r）（1）式中：V^（r）是阻尼结构第r阶的总变形能；VE^（r），Vv^（r）分别是弹性材料、黏弹性材料第r阶的变形能。