简介:辐射输运的研究有重要的科学和实用的意义。辐射波的传输过程分为两个阶段,当介质受到较强的辐射辐照时,首先是超声速辐射热波在常密度介质中的传播。与此同时,受热介质压力升高发生膨胀,产生向内传播的冲击波和稀疏波。随着受热介质的质量增加,辐射热波的速度下降,冲击波和稀疏波赶上并超过它,形成亚声速传播的辐射烧蚀波。这是均匀介质中的一维热传导模型的描述,它的应用受到许多限制。辐射在填充介质金管中的传输,由于涉及高z金属管壁对辐射的改造,属于非均匀介质中的输运问题。它涉及辐射在填充介质传输过程中的吸收和再发射,以及管壁吸收和再发射。当输运介质为光性薄时,外加的辐射源可到达波头加热冷介质。当输运介质为光性厚时,辐射在到达波头前多次被吸收和再发射,辐射被输运介质改造。加上输运管后,管壁会吸收辐射,吸收的一部分能量经管壁改造后再发射到介质中,影响输运。因而辐射在填充介质管中输运计算是复杂的二维计算。
简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方
简介:用有限时域差分方法(FDTD)对比研究了下列二维光子晶体的带隙:第1组,半径r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第2组,半径为r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm;第3组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第4组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm,并且对每一组光子晶体进行挖孔操作,然后比较不同填充率对光子晶体材料的带隙的影响,以及同种材料和结构、挖孔对带隙的影响。对于紧密排列的二维光子晶体,挖孔会使带隙向长波方向移动;对于填充率小的光子晶体,或者环形柱二维光子晶体,中间挖孔不影响带隙的范围。
简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增
简介:TN2522000031830用于自相位调制器的KTP离子交换光波导=Selfphasemodulationofion-exchangedwaveguidesinKTiOPO4[会,中]/李玉善,马少杰(中科院长春物理所激发态物理开放实验室.吉林,长春(130021)),多田邦雄(日本东京大学工学部电子工学科.日本)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08在周期结构非线性光波导的准相位匹配倍频激光及级联二阶非线性光-光超快调制/开关器的研究中采用了Rb/Ba离子交换KTiOPO4(KTP)光波导。利用了