简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。
简介:在磁粉检测中,由于采用图像处理技术,半自动和全自动的探伤设备相继出现。检测中使用带有荧光物质的磁粉,在紫外线的照射下,由CCD和图像采集器将磁痕图像转化为数字图像,传入计算机;为实现缺陷图像的定量,采用浮动阈值将缺陷图像分割出来;为避免丢掉有用信鼠,需要采用条件跟踪和图像膨胀技术,对断开的部分进行重新连接。磁粉检测的检测目标主要是裂纹、缝隙等表面不连续,在图像上是由缺陷点组成的亮线。二值化后的图像中存在一系列的连通区域,采用邻域法和树状搜索技术可快速完成每个连通区域的搜索,同时完成连通区域的特征值的计算。根据裂纹图像的特征,可以判断是否有裂纹发现。在射线检测领域,