简介:自然数集按(mod6)排列后,将自然数符号螺旋对称分布的规律与自然律有机关联起来研究,从中发现数集中部分合数M中所包含相同素因子P,q周期分布与等距传递的规律,即双重素数P,q实项、虚项原构、同构同因子对应组螺旋对称分布结构的形式与规律,可模拟宇宙万物的时空螺旋运动状态,模拟DNA双螺旋结构碱基(A、T、G、C)序列遗传密码结构与形式。亦可作为一种创新方法开发应用研究,为研究DNA序列结构的数学编码,研究宏观宇宙、中观生物、微观质量的对应螺旋运动状态,预测宇宙万物相互关联相互作用的变化规律与趋势,构建基于宇宙中空时序的自然数双重素数因子对应组(多组)螺旋延伸的数码模型,高度抽象探讨与理解宇宙万物运动变化的原本规律,为相关问题的表述与解决提供数码螺旋的解决方案。
简介:为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响,采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰,并对ZnS及ZnS/SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异,发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS/SiO2纳米复合材料的光发射性质,分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明,SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS/SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17.5倍,但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1.1倍,这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释,且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。
简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.