简介：用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。

简介：在神龙1号直线感应加速器（LIA）束参数测量工作中，采用的同步触发系统主要是由延时同步机如DS310完成的，它虽然可以产生较大时间范围内的延迟，但由于其工作主频为100MHz，其延迟时间设置的步长则为10ns，加上时基自身的精度，能够获得的延迟精度不会高于10ns；而Ln的其他环节（主要是发散以前的环节，如偏置Marx）在动作时也存在一定量的抖动，经实际测量约20-30ns，这样就无法很精确地确定测量时刻，如图1所示。因此在要求准确了解测量时刻及具有时间分辨测量要求的研究中，这种触发方式就不能满足要求。

简介：TB4397063840含n≈k超薄金属膜的周期对称膜系的性质及窄带高反膜设计=Characteristicsofperiodicsymmetricalmultilayercoatingsincludingultrathinmetallicfilmofn≈kanddesignofahigh-refIectivityreflectionfilterwithnarrowbandwidth[刊,中]/谭满清,林永昌,赵达尊(北京理工大学.北京(100081))

简介：目前有机气体污染物的净化方法主要存在控制难度大、能耗高、要求气体纯度高等缺点，尚需开发新技术。在挥发性有机化合物中，甲苯是很具代表性的物质，也是被美国ASHRAE推荐为测试气体过滤净化设备性能的模型化合物。国内利用电子束辐照处理甲苯气体的文献很少。文中对甲苯有机废气进行静态实验，初步研究了电子束辐照处理芳香类有机物甲苯的效果，分析了辐照分解产物。

简介：结合脉冲中子管的结构特征,建立了一套基于Al_2O_3单晶闪烁屏和CCD相机的中子管氘离子束束流截面测量系统。闪烁屏直径为15mm,厚度为0.5mm。为了降低测量本底,CCD相机工作在触发模式。利用有限元分析软件,模拟计算了典型中子管束流参数下的闪烁屏温度,并利用该测量系统获得了中子管氘离子束在靶面处的典型强度分布。结果表明,该测量系统可以准确地反映脉冲离子束束流的横向强度分布特征。

简介：目前治理低浓度甲苯废气的传统方法还存在很多问题，还需研发新的治理技术，为此，进行了电子束辐照处理甲苯的动态实验。

简介：采用以离子数比为控制变量的对数函数控制器,研究了不同填充因子下调谐衰减因子对强流离子加速器中初始分布为K-V分布的离子束束晕-混沌控制的影响。研究表明,使用对数函数控制器时,较大的调谐衰减因子下,可以控制束晕-混沌的填充因子取值范围较大,且填充因子越大控制效果越好;较小的调谐衰减因子对束晕-混沌的控制效果影响相对较大。

简介：针对目前我国急需开展质子单粒子效应辐照实验的需求，研制了适用于质子束流注量率监测的次级电子发射监督器（secondary—electronemissionmonitor，SEEM）。测试结果表明，SEEM在监测注量率为109～1010cm-2·s-1的质子束流时，其电流与注量率间的线性相关性很好，可应用于质子单粒子效应实验束流诊断。同时，测量了不同质子能量下铝的次级电子发射系数，测量值与理论计算结果吻合较好。

简介：重离子柬轰击聚碳酸酯后．对样品进行陈化和紫外线照射数化，在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线／聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。

简介：本文于2006年9月初次发表在“苏科物理网”（http：／／www．skwl．org／forum／view．asp？id=6103），当时作者是以问题的形式提出，作者没有放弃对问题的求解，终于找到了解决问题的突破口，这样的探究意识是值得表彰的．我们更希望广大教师在参与“苏科物理网”（http：／／www．skwl．org）讨论的基础上，撰写出有研究意义的文章．

简介：高能硫、氪、氙离子轰击聚酯(PET)和聚碳酸酯(PC)膜后，对样品进行陈化和紫外线照射敏化．用电导法着重研究蚀刻条件对样品的归一亿径迹蚀刻速率(灵敏度)的影响，结果表明优化条件下灵敏度较通用条件下提高约2倍，PET的灵敏度可达1000，PC的灵敏度可达2000，可以用于制备纳米孔径核孔膜．核孔膜中填充的铜纳米线的电镜照片显示出纳米线最小直径为20nm．用电导法计算纳米孔的孔径，该值与纳米线直径的电镜测量值在孔径大于30nm时符合良好．

简介：薄膜厚度的测量通常有多种方法，但对超薄的膜厚，要达到较高精确度，且测量手段又较为简洁的，则椭偏仪法是理想的选择。本文对这种测量材料膜厚的光学方法从基本原理、仪器特点、测量过程、样品状态等方面，均作了全面的分析。

简介：结合几何原理和激光光源的特性,提出一种应用凸透镜实物成虚像情况下简便测量凸透镜焦距的方法,该方法可以作为大学生的设计性、探究性和创新性的实验项目。

简介：本文对滑线变阻器作分压电路时出现的现象作定量的分析。

简介：魔鬼的身材，天使的面孔……．喝酒喝到夜里两点才回家……

简介：

简介：利用磁谱仪得到不同能量的单能电子束,让这些电子束穿过不同厚度的铝膜,研究不同能量的电子在铝膜中的吸收系数和能损,得出吸收系数与电子能量的经验公式,与已有的吸收系数经验公式进行了比较,测量到的能损和Fluka软件模拟计算的结果进行了对比,观察到它们之间都能够较好地符合。说明该实验测量的数据和得到的质量吸收系数公式是可靠的,对β射线的防护具有重要参考价值,Fluka软件能够用于较高能量电子能损的计算。

简介：不对称蚀刻法的分桥表明，在灵敏度不变时可以得到小孔径核孔膜。实验显示，由于孔径不均匀现象的制约，核孔膜的孔径可减小到1／2。温度梯度蚀刻法的分桥表明，导通时间的减小与膜两面的温度差成正比，在实际条件下孔径减小到1／5。模拟计算表明，采用该方法可得到控状孔核孔膜，但蚀刻过程很难控制。

简介：利用FLUKA程序模拟计算了高能质子束打靶产生仿真大气中子束流时,靶材料、靶结构及入射质子能量对中子能谱的影响。结果表明,选择重金属铅或钨作为散裂靶材,不仅中子产额较大,而且当质子能量大于3GeV且在引出方向与质子入射方向夹角为30°时,中子能谱更接近标准大气中子能谱。对中国散裂中子源(ChinaSpallationNeutronSource,CSNS)第1靶站产生的白光中子束流能谱计算表明,该能谱适于开展仿真大气中子在半导体存储器件中引起的软错误试验研究;同时,就能谱形状而言,未来CSNS第2靶站在引出方向与质子入射方向夹角为30°和15°的两条白光中子束线,更适合开展与大气中子束流相关的存储芯片和高集成电路的单粒子效应研究。

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。