简介:TN3622003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=IncidentangledependenceofquantumefficiencyofGaAsbasedRCEphotodetectors[刊,中]/梁琨(中科院半导体研究所.北京(100083)),杨晓红…//光子学报.-2003,32(5).-637-640采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060nm及1310nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度,器件谐振接收波长可在大范
简介:TN9112001010373光子相关计及DMA数据传输系统设计=ResearchondesignandapplicationofdualdatachannelsDMAtransfersystems[刊,中]/李峰,杨建文,陆祖康,包正康(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027))∥浙江大学学报.工学版.-2000,34(2).-135-139提出了一种实现双数据通道DMA传输的新方法,并成功地应用于光子相关计中,详细地分析了工作在命令传输方式的操作时序,提出了实现双数据传输方式的逻辑设计。图6表1参5(李瑞琴)