简介：TN1595010522光电器件近年来的发展趋向=Reviewofrecentdevelopmentinoptoelectronicdevices[刊,中]/缪家鼎(浙江大学.浙江,杭州(310027))//半导体光电.—1994,15(1).—1—6文章从光电器件的单元技术、成像器件和垂直腔面发射半导体激光器三方面评述了光电器件的进展,说明它是一个充满活力的研究领域。图12表1参2(任延同)TN1595010523光学器件与光计算机=Opticaldeviceandopticalcomputer[刊,中]/张桂萍(河北大学电子系,

简介：TQ171.6897010633玻璃与GaAs外延片热压粘结工艺研究=ThestudyofGaAsexpitaxialplatethermocom-poressionbondedtoglasstechnology[刊,中]/赛小峰,张书明,高鸿楷,侯洵(中科院西安光机所半

简介：TH7497021364未来的光机电一体化科学仪器和装置=Theoptomechatronicsinstrumentsanddevicesinthefuture[刊,中]/张云熙(中国北方光电工业总公司.北京(100827))//现代科学仪器.—1996,(3).—31—32对近年来许多公司竞相开发的一些光机电一体化的现代科学仪器和装置作了简要介绍。参5(李瑞琴)

简介：从一维正碰着手,应用质点动量定律,推导出力学碰撞问题中恢复系数的一般表达式,为正确理解恢复系数,解决与此相关的问题提供理论支持。

简介：本文通过对两道高考压轴题中信息的提取及有效利用分析,展示运用化“一般”为“特殊”的方法解决复杂问题的思维过程.并对日常教学中如何提高学生信息提取及处理能力提出建议和方法.

简介：利用传输矩阵法理论，研究介质光学厚度对一维光子晶体（AB）5（ACB）2（AB）5缺陷模的影响，结果表明：随着介质A、B或C的光学厚度按奇数倍、偶数倍增大时，光子晶体主禁带中的缺陷模均向禁带中心移动，出现缺陷模向禁带中心简并的趋势，且光学厚度按奇数倍增加时简并的趋势更明显，同时缺陷模移动速度以A介质光学厚度奇数倍增大时为最快；当介质A、B或C的光学厚度按奇或偶倍数增大到一定数值时，均出现对称分布于禁带中心两侧的新缺陷模，而且光学厚度按偶数倍增大时出现的新缺陷模要比偶数倍增大时的快。介质光学厚度对光子晶体缺陷模的影响规律，对光子晶体设计窄带多通道光学滤波器件、高灵敏度光学开关等具有积极的参考意义。

简介：运用光学传输矩阵理论,深入研究了由一种各向异性材料组成的一维光子晶体中TE模式和TM模式中缺陷态的频率分布与缺陷层宽度之间的关系。与布拉格带隙相比,这种新型的光子晶体可以通过改变偏振方向实现缺陷态密度的改变。得出将高折射率层与外界接触时态密度最低并最适合于滤波特性的结论。对制作偏振变化滤波器方面和缺陷宽度控制滤波频率方面有重要的指导意义和应用价值。

简介：底片是射线检测的评判依据，但是容易受到环境的影响而发生变化（发霉、污损）；生产中大量的底片也不便管理和查阅。将底片数字化，可以实现无失真存储，稳定性高，更便于交流和分析，利用数字图像处理技术可对缺陷进行定量分析。

简介：应用Onshell方法研究带缺陷的二维光子晶体,缺陷的引入使得原来不透电磁波的禁带中,出现了缺陷模,即某一频率的电磁波可以透过,计算表明缺陷模的频率与透过率随着缺陷的性质及缺陷两边的层数而改变

简介：霍尔效应实验是一个重要的普通物理实验,因此,其实验数据处理一直是一个研究热点.为了使数据处理方式更加贴近学生实际和适应课程改革的需要,文中展示了一种新的、简便的实验数据处理方式,即采用Mathstudio软件中的ListPlot函数,对实验数据进行曲线拟合,进而得出实验结果,并与其他计算处理软件的结果做了对比,显示出该方法的简便性与准确性.希望通过Mathstudio的引入和使用,对课堂教学改革有进一步的推进作用.

简介：随着涡流检测技术的不断发展，不仅要求准确检测出缺陷，且还需对缺陷进行定量、定性评价。涡流检测中阻抗信号变化是进行缺陷检测和定量分析的依据：测量或计算缺陷的阻抗信号，称为涡流检测的正向问题；从阻抗信号推断出缺陷的定量定性特征，则是逆向问题。借助于有限元模拟方法，对涡流检测时的正向问题进行了求解计算；利用傅里叶变换和神经网络方法，对涡流检测时的逆向问题进行了分析。

简介：数字图像处理技术的应用，有力地促进了缺陷定量分析与射线检测的自动化。但大多数射线检测图像噪声大、对比度不高、存在较大的背景起伏，缺陷图像的准确分割、提取则成为实际应用中的难点和关键。射线图像中缺陷的存在，在其邻域形成灰度差异；可由边缘检测方法得到相应的边缘点（奇异点）。在图像边缘检测中，一般认为在较大空间尺度（边缘检测模板）下能可靠消除误检，得到真正的边缘点，但不易对边缘精确定位：在较小尺度下对真正的边缘点定位比较准确，但对噪声敏感，误检的比例会增加。多尺度小波分析的引入，可得到比较满意的结果。用不同的小波基分析同一个问题会产生不同的结果，因此小波分析在工程应用中的一个十分重要的问题是如何选取最优小波基。双正交小波基具有紧支性和线性相位：紧支性表明不需做人为的截断，应用精度很高；线性相位可避免信号在分解和重构时的失真；小波基连续可微，这对于有效发现信号的奇异点是必要的。

简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属1a型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究．在近完整晶体内近中心的001)和(010）结晶学平面内观察到生长带，生长方向平行于(100）和(010)．在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5^*以上．晶体完整性与氮含量无明显相关关系．

简介：在冲击动态加载破坏下，金属材料会产生微孔洞、微裂纹和位错等微结构缺陷，这会明显影响材料的某些性能。采用中子小角散射技术研究了冲击加载前后合金材料微缺陷的变化。实验样品分别是以Al和Mg为基体、含有少量其他元素的两种圆柱状合金材料，将样品用不同速度的钢弹冲击，测量样品为加载前、后合金材料共计4个。

简介：本文利用时域有限差分法，在T型光子晶体波导内引入缺陷，改变介质柱缺陷半径的大小、位置来研究T型光波导两个输出端口的透射率。得到了引入对称缺陷的透射谱，以及引入非对称缺陷时两输出端透射比随波长的变化关系，最大透射比过到八比一。结果表明引入柱缺陷可以改变光波导的透射率，很好的控制光的传播，研究结果对光通信用光分柬器和多路光分复用器的设计有着一定的理论指导意义。

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

简介：文章采用日本产的ＣＮ１５１１８及扫描型双晶形貌测角仪直接拍摄了ＭＢＥ生长的Ｇａｌ－ｘＡＬｘＡｓ／ＧａＡｓ外延层和衬底层的形貌像，观察到面层中存在失配位错，单方向位错线晶面取向差等缺陷。并比较了生长温度对外延层质量的影响。

简介：不良导体导热系数的测量是本科大学物理实验教学的一个重要内容,本文针对仪器的结构缺陷进行分析,并提出实验装置改进建议。

简介：研究了Pt-Al2O3亲水催化剂和Pt-SDB（聚苯乙烯一二乙烯基苯）疏水催化剂对含氚空气的净化处理。通过Pt-SDB单程催化氧化氢气性能研究和潮湿环境对Pt-SDB催化剂催化氧化性能影响研究（图1）显示，Pt-SDB催化剂在室温下对H2（氚）的催化氧化具有效率高，并且不容易受潮，能在潮湿的环境下保持活性，是一种较好的含氚废气处理催化剂。

简介：随着大型高功率固体激光装置的换代升级，装置中的各类光学元件正面临着日益增高的高通量激光负载的考验，其中的瓶颈光学元件已成为限制激光装置最大能量输出的主要障碍。