简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：本文介绍用洛埃境干涉法测量钢丝的伸长量ΔＬ，从而测定材料的杨氏模量。此法提高了测量精度，相对误差可降到３％左右。

简介：当前中职数学课堂教学状况不佳，为改变这种低效教学状况，必须着力进行课堂教学改革。本文主要是从营造良好课堂气氛、情境教学和改变评价方式三个方面阐述了作者在提高中职数学教学有效性中的成功尝试。

简介：挠性炸药通常由炸药和弹性高聚物组成，固化后具有一定的弹性和挠性，能够适应球形、柱形、环形、锥形、平面等异型结构的沟槽、爆点和平面层装药，常用于起爆、延时等作用。20世纪90年代末，国内外多采用高聚物黏结太安，但由于太安的熔点低，感度高，稳定性差，不久便停止在新引信中使用。

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明：该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也可用于其他MOSFET器件阈值电压的测量,尤其适用于辐射剂量的长期测量或者实时测量。

简介：目的：针对预张力索杆体系，将构件刚度与体系判定相结合，提出分布式静不定和分布式动不定的计算方法，使体系分析从“系统”层面向“构件”层面延伸。创新点：1．推导出具有广泛适应性的分布式静不定公式，并证明与原有方法的内在关系。2．首次提出分布式动不定数学公式。3．给出分布式不定数的物理意义及潜在的应用。方法：该方法在平衡矩阵理论基础上，采用奇异值分解法分别求解相互正交的两类单元变形量和两类节点外荷载模态；在排除整体刚体位移模态后，利用该正交性，求解分布式静不定和动不定。结论：1．该方法能克服已有方法中的奇异性问题，具有普遍性，可适用于动定及动不定结构。2．作为结构双对称性的代表，分布式静不定数可被用作一个简单而有效的分组准则；该准则能提高二次奇异值找力法（DSVD）的效率并能为设计师提供更多的初始预应力设计可能性。3．揭示分布式静不定与结构重要性及结构敏感性间的关系。4．分布式动不定数可被用作节点可动性的一个基本指标。

简介：介绍了根据马赫-曾特尔全息光路图而改进和设计的新全息光路图。此光路图不仅很好地解决了原光路图由于分束镜Ⅱ不能使得θ角度有太大改变[1]的局限性,而且具有光路的光程差易控制、角度易调节、实验易操作等诸多优点。可以依据此光路来制作高频全息光栅和相关物理量的测定。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：一般大学物理教材中，大都将毕奥-萨伐尔定律dB^→=Δ/4πIdl^→×r^→/r^3作为实验定律直接引入。而张三慧等的(电磁学)中则利用计算电流元中载流子的磁场对毕奥-萨伐尔定律给出了一种较为简洁的推导，这样处理对教学是很有好处的。

简介：利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：本文将综合论证指出：广义洛伦兹磁力具有普适性,它能全面解释电磁感应的物理过程;无论是静态场,或是时变场,都是洛伦兹磁场力的作用结果.①电波反射是广义洛伦兹磁力的应用,②广义洛伦兹磁力使线圈产生“反电动势”,③接收天线上的信号形成是广义洛伦兹磁力的作用结果,④磁力线静止而导体转动情况的经典洛伦兹磁力的应用,⑤导体静止而磁铁携带磁力线转动情况是广义洛仑兹磁力的应用,⑥磁发电机是广义洛伦滋磁力的应用,⑦变压器的变压原理是广义洛伦滋磁力的应用⑧铁芯中形成涡电流是广义洛伦滋磁力的应用.故,“磁生电”的真实原因是：金属电子在广义洛伦兹磁力的作用下的流动而形成Ic,却不是法拉第-麦克斯韦-爱因斯坦他们在自由空间里虚构的位移电流Ia.或,基于唯物主义自然观,联系电磁感应的物质是洛伦兹的金属电子,却不是法拉第-麦克斯韦-爱因斯坦他们的真空以太.

简介：合成了一维绳梯链状双金属化合物[Ni(en)2]3[Fe(CN)6]2·2H2O,并对其变温穆斯堡尔谱进行了研究,结果表明该分子磁体中铁的电子态为低自旋Fe3+,而大的四极分裂值(QS)表明此化合物的[Fe(CN)6]3-单元对称结构发生了形变,低温时出现的磁弛豫谱,给出了在该温度点附近出现铁磁耦合相互作用的信息。