简介:栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息,是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-SoSon等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS(TR-LDMOS)的RESURF条件,建立器件的栅电荷分析模型,发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURFLDMOS(LR-LDMOS)少13.85%,所需Qg比LR-LDMOS少17.65%;完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上,结合仿真对沟道区不同时刻栽流子分布的描述,更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化;并且应用比较分析的方法,解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下,得到有助于器件设计的应用性结论。
简介:大运河沧州段最早开凿于三国时期,繁荣的水上交通成就了沧州地区经济、社会和文化的发展。大运河文化带沧州段的建设不仅包括物质与非物质文化遗产的保护和传承,还包括运河生态环境的完善、运河功能的丰富、沿岸城镇与乡村的建设、经济转型的推动等。大运河文化带沧州段的建设有助于传承中国传统文化、增强沧州文化自信、助力京津冀协同发展、践行“一带一路”倡议、促进经济绿色崛起和转型发展。因此从加强组织领导、建立联动机制、重视调查研究、寻求学术支撑、主动学习政策、完善政策体系、构建立体宣传、扩大公众参与、坚持特色建设、讲好沧州故事几大方面出发,推动大运河文化带沧州段的保护、传承和利用。