简介:随着我国高压变频器技术的不断发展和成熟,高品质10MVA以上高压大功率变频器打破国外垄断的时机已经到来,大功率、高集成度、高密度功率单元、模块化设计、转速矢量控制已成为发展趋势,并在一些领域取得了成功。
简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。