简介：简述铁氧体磁芯平面变压器的制作方法及其应用。

简介：介绍了单晶集成电感、单晶传输线变压器以及将其作为balun的运用方案。对射频电路中平面螺旋电感的分布参数模型进行了分析，进而讨论了平直导体的电感值的理论计算方法．然后以此为基础，以两圈的长方形、一圈的平面螺旋线圈电感和正方形平面螺旋电感为例计算了其电感值。

简介：针对滤波器小型化、轻型化、薄型化的发展趋势，介绍了采用电感和电容并运用MAXWELL软件在PCB板上建立平面型PCBEMI集成滤波器的方法，同时根据仿真所需参数，重点分析了如何去除等效并联电容，并用Maxwell3D软件分析了不同嵌入长度对电容的影响．最后用Pspice软件分析了共模和差模插入损耗。

简介：本文仅论述与平面技术有关的研究。这项研究的目的是介绍一种采用平面技术的小体积、适合高温应用的电源的设计方法。此种方法被用于降压变换器设计。它的适用性用试验结果来证实。

简介：针对平面电磁波入射到具有金属衬底的等离子体时的反射和衰减情况进行了研究．结果表明：等离子体的各种参数对电磁波入射到等离子体时的反射和衰减都有很大的影响．而这些影响可以在实际应用时进行相关的调节，从而获取等离子体最好的吸波性能。

简介：

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE（sat）IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源（UPS）以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。