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  • 简介:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。

  • 标签: 功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区
  • 简介:英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat)IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源(UPS)以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术,使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。

  • 标签: IGBT 功耗 开关频率 低饱和压降 股份公司 频率范围