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沟槽栅低压功率MOSFET的发展（下）——减小优值FoM

作者：张娜;吴晓鹏;亢宝位
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2004-04-14
出处：《电力电子》 2004年第4期

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
标签：电力半导体器件金属氧化物-半导体-场效应晶体管通态电阻优值

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减小异步电机共模电压的SVPWM控制方法的分析

作者：窦汝振
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2005-01-11
出处：《变频器世界》 2005年第1期

简介：共模电压会带来共模电流，EMI，电压谐波等问题，因此一些PWM控制方法被用来减小共模电压。本文对一类改进的SVPWM控制方法进行了详细分析，提出尽管该类方法可以有效地减小电压源逆变器供电的异步电机驱动系统的共模电压，但也会造成功率器性的同时动作，从而引发电动机线电压的双极性调制和转矩脉动，仿真结果证明了上述结论的正确性。
标签：异步电机共模电压 SVPWM控制方法功率器性电压源逆变器

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沟槽栅低压功率MOSFET的发展（上）——减小漏源通态电阻R DS（on）

作者：吴晓鹏;张娜;亢宝位
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2004-04-14
出处：《电力电子》 2004年第4期

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
标签：电力半导体器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管通态电阻优值

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