简介：介绍了pspice中功率场效应管模型的建立方法,并仿真测试了它的一些特性。

简介：功率器件的质量对节能灯的寿命起关键作用，从理论分析入手，对其失效机理进行分析。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：图形芯片巨头Nvidia公司于8月4日宣布任命两位新任高管，由GeorgeStelling出任CIO，ScottSullivan任人力资源部副总裁。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管（FRD）的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等。

简介：为了集成电路的低成本和高性能设计，文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺，给出了微波无线通讯系统的集成方案，从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题，同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

简介：主要介绍了厚膜片式二极管的研制背景及应用领域，指出了厚膜片式二极管应用的关键技术和工艺、最后讨论了厚膜式片二极管的发展前景。

简介：为了将Z源逆变器的单级变流特性应用于高压大功率场合，克服双Z网络二极管箝位五电平Z源逆变器所需储能元件多、硬件成本高及调制复杂的缺点，提出一种单Z网络结构的二极管箝位五电平拓扑，该拓扑只需一个Z网络，但通过合适的脉宽调制可以达到与双Z网络相同的升压效果。给出Z源逆变器直流链全直通及部分直通原理，分析适用于五电平Z源逆变器的直通控制方法，设计了直通状态插入的同向载波层叠（D）及交替反向载波层叠（APOD）两种脉宽调制策略。最后仿真验证系统直通控制方法及调制策略的正确性。

简介：本书全面汇编了国内外电子元器件产品所使用的晶体三极管及其模块的实用关键参数和代换型号，内容涉及到2006年以前国内外三极管生产厂家的大部分最新三极管（包括三极管模块）的型号。全书共分三部分，第一部分介绍该手册的查询方法，第二部分介绍三极管的型号命名、使用和检测方法等基础知识，

简介：薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是液晶显示器中最重要的一种，其产值和影响力在液晶显示器家族中有着举足轻重的地位，可广泛应用于电视机、笔记本电脑、监视器、手机等各个方面。TFF-LCD根据薄膜晶体管材料的不同，又分为非晶硅TFF（a-SiTFT）、多晶硅（p-SiTFT）和单晶硅MOSFET（c-SiMOSFET），后者形成的LCD被用于LCOS（LiquidCrystalonSilcon）技术。

简介：Vishay公司日前宣布推出新系列超亮LED——SMD0603。该器件具有目前市场上最小的SMD成型规格，且有六种颜色（超高红、橙色、黄色、绿色、纯绿色及蓝色）供设计者选择。

简介：Zetex半导体公司近日推出一款新型肖特基势垒二极管——ZLLS350。该器件在30V下的典型及最大逆向电流分别为1μA和4μA，有助延长充电器和发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。

简介：Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极管驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS（LowVoltageDifferentialSignals）激光二极管驱动器系列。

简介：Atmel推出的激光二极管驱动器（LaserDiodeDriver）ATR0885，可用于合并HD—DVD／Blu—ray、DVD、CD播放器和个人电脑只读存储器（CD—ROM）驱动器。自从新的ATR0885以极小封装推出以来，特别适合笔记本电脑上应用的小型SLIM驱动器以及桌面型电脑和DVD播放器中的半高驱动器。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

简介：提出了一种基于扰动信号、且可线性化的非线性系统设计方案，该方案旨在改善带高频逆变器负载的二极管整流电路的功率因数。文中从原理及实验两方面对该方案进行了详细分析，并给出了实际的电路设计方法。

简介：介绍了TH558型大功率金属陶瓷四极管的结构特点,同时结合实际使用情况给出了TH558在短波发射机中的应用与维护注意事项。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。