简介：本文主要根据实际生产对以金属基高频板的加工工艺及生产过程中的重点孔金属化的解决方案进行了论述。

简介：客户对线路板供应商PCB可靠性有着非常严苛的检验标准，在多达十几项的检验项目中，与结合力相关的检测项目普遍占1／3甚至更多。因此有必要研究铝基的表面处理方法，选取结合力更好的处理方法进行制作，从而提高线路板的可靠性，以满足电子产品高可靠性的要求。文章主要对铝基的不同表面处理工艺进行研究，通过对比不同表面处理工艺的结合力，为PCB业者提供参考刚挠结合板AL表面处理工艺方法。

简介：金属基印制板为提高绝缘孔（槽）可靠性问题，成为金属基板产品结构升级的迫切需求。通过对金属基绝缘孔失效原因分析和失效影响因素研究，结果表明，预钻孔后对金属基板进行碱蚀药水处理，可以提高树脂与孔壁的结合力；研究不同叠扳方式、基板尺寸、类型铝材、铝材厚度、Rc（：铜箔厚度对基板尺寸涨缩均有较大影响，介质厚度对基板压合后的尺寸稳定性影响不大

简介：本文分析了酚醛树脂的合成原理,从一、二次树脂体系着手,确立了合理的树脂体系;相应地提高一次浸胶的含量,改变了两次浸胶含量的比例,制作了性能良好的低吸水率酚醛纸基覆铜板.

简介：近日，由国民技术牵头，联合武汉天喻、深圳大学共同承担的国家科技重大专项“双界面金融卡SoC芯片研发与产业化项目”顺利通过“核高基”课题验收，成为我国首家通过此类课题的项目承担单位。

简介：本文对高厚度小孔径铜基高频板的制造工艺进行简介，并对制造难点进行改善，找出合理的制造工艺，为业界同仁制作高厚度小孔径铜基高频板提供参考。

简介：金属基板由于其良好的散热性及尺寸稳定性,一直受到业界的高度关注和重视,近年来更逐渐由单面向双面及高多层金属夹芯技术发展。本文就铝基夹芯盲埋孔制作工艺进行了可行性探讨,并通过真空压胶技术和铝基表面复合处理工艺有效解决了铝基结合力差及超厚铝基同心圆填胶困难等业界常见的技术难题,极大提升了品质良率,满足了客户的特种需求。

简介：我们行业的前辈、协会的老顾问姚守仁教授级高工，2010年元旦献词只有一句话：“希望CPCA开始对提高全行业的软实力做最大努力!”尽管加上感叹号一共只有24个字，但其含义极深、极其丰富。姚总还对我说：“软实力意味着哪些方面，你今后会一步步想到并去做到；否则将一事无成。”

简介：问:关于美国电子电路情况?Ask:HowabouttheelectronicindustryinNorthAmerica?答:根据美国IPC的统计数据显示,“美国和北美刚性PCB和柔性PCB板2000年为109亿USD,2001年为78亿USD,而2002年仅为63亿USD”,“下降幅度十分惨痛”,“美国疲软的电子设备生产成为美国国内PCB复苏的主要障碍”。Answer:AccordingtoIPCstatistics,NorthAmericaPCB

简介：描述了各种COB类型之金属基板制作需要解决的技术问题。例如,凹杯COB板需解决凹杯杯底部位的平整性及反光率、凹杯深度及侧壁角度公差控制等;铝盖板需解决盖板独立成型制作、成型后侧壁平整度及反光效果、铝盖板与MPCB结合力等;FR4挡墙/围坝COB板需解决FR挡墙/围坝独立成型制作、FR4与MPCB定位对位精度控制、FR4挡墙/围坝与MPCB结合力等;硅胶圈挡墙/围坝COB板需解决点硅胶圈的精度控制、硅胶与MPCB结合力等。

简介：本论文主要介绍了一种性能优良的涂树脂铝基盖板在PCB机械钻孔中的应用研究，详细阐述了其表层树脂的水溶解性和热力学等优良性能，并着重对其21PCB机械钻孔的影响进行了探索研究，包括提升孔位精度、增加孔限、减低钻针磨损、改善孔内品质等，此外本论文还简要介绍了MVC盖板对环境的影响。

简介：文章介绍了金属基制作面临的问题及其解决方法。

简介：软板厂商旭软在经过近两年的调整期后，今年在消费性市场获突破，拉动需求成长，客户可望在Q2调整完毕后Q3出货动能拉升，目前车载以及工控市场已成为稳定成长动能，今年重回到获利表现。

简介：我们通过仿真实验探讨了温室下的眯唑基离子液体[BMIm]^＋PF6^-＋AlCl3在银（铜面上）沉积中表现出来种种性质,从而为PCB板上沉银打开了另一扇窗口,尽管真正应用还有一段时日,但是我们坚信其在优化PCB板表面定能一展身手!

简介：文章概要叙述了＂集成创新＂来发展我国PCB工业的重要意义。

简介：DDR3SDRAM是新一代的内存技术标准，也是目前内存市场上的主流。大量的嵌入式系统或手持设备也纷纷采用DDR3内存来提高性能与降低成本，随着越来越多的SoC系统芯片中集成DDR3接口模块，设计一款匹配DDR3的内存控制器IP软核具有良好的应用前景。本文在研究了DDR3的JEDEC标准的基础上，设计出DDR3控制器IP软核的整体架构，并使用VerilogHDL语言完成DDR3控制器IP软核。在分析了40nmDDR3PHY测试芯片的基本性能的基础上，设计DDR3控制器IP软核的接口模块。搭建利用AXI总线对DDR3控制器IP软核发出直接激励的仿真验证平台，针对设计的具体功能进行仿真验证，并在XilinxXC5VLX330T-FF1738-2开发板上实现对DDR3存储芯片基本读／写操作控制。在EDA仿真环境下，DDR3控制器IP软核的总线利用率达到66．6％。