简介：11月3日，三星电子公布了第三代10纳米制程技术（10LPU）的最新细节。三星在今年10月中抢下业界头香、10纳米制程技术率先量产，这使其与台积电的先进制程竞赛如火如荼。

简介：从1999年开始，三星集团的旗舰企业三星电子可谓好事不断当年，它在陷入金融危机的亚洲大企业中率先实现了扭亏为盈：2000年，它的营业总收入高达270亿美元，利润超过了53亿美元；2001年，世界品牌评价权威机构评定它的品牌价值为63．7亿美元，仅次于索尼而高居世界电子企业的第二位，在全球最佳100强品牌

简介：据报道，三星电子已决定成立一个独立的代工或合同芯片制造业务部门，以满足科技行业对手猛增的需求。

简介：以五大企业为主体的日本铜箔业，在世界铜箔业中一举成为十分强盛的新霸主。文章主要介绍了三井金属矿业公司、JX日矿日石金属公司在东南亚地区的PCB铜箔生产现状，以及分析了日本在台湾地区的海外铜箔企业的建立与发展。

简介：概述了铜凸块形成用三层箔的特征,制造方法和应用.

简介：《频谱分析仪应用解惑》这个系列被那些关注频谱仪的读者“追剧”了!好吧，今天放送第三集!

简介：在当前国内人口红利消失、劳动力成本不断上升、经济下行的环境下，PCB行业通过机器换人实现转型升级，以提高工厂的自动化生产能力，压缩人工成本，同时提高生产效率和产品质量，这无疑是一个不错的突破口。

简介：越南政府近年来对高科技产业的投资相当重视，不论是在法规或是税务均提供足够的诱因，吸引外资投入。日本、韩国、台湾是在越南投资发展PCB业的主要国家、地区，它们在越南投建的PCB企业主要分布在河内市及其周边地区和胡志明市及其周边地区。

简介：作为中国经济最强劲的发动机，长三角地区在经历国际金融危机的冲击后，显示出惊人的自我修复能力和壮大能力。上半年的经济统计数据表明，长三角经济上半年的整体状况明显好于年初预期，企稳回升的势头日渐强劲，前景可期。

简介：韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度，该公司最近成立了新的半导体研发中心，该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作，进行新半导体材料、晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发。另一方面，三星旗下的芯片厂除了正在积极准备45nm制程芯片的量产，同时作为IBM技术联盟的一员，也在积极研发下一代32nm／28nm制程技术．

简介：据报导道，在原本属于销售旺季的新年，全球华人PC三巨头联想、华硕、宏基却正“扎堆”预告着上一季度尴尬的业绩，以免落单过于显眼。

简介：IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布：他们将在高k金属栅（HKMG）技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布：将利用公共平台HKMG32纳米／28纳米技术独特的特性，开发定制化的物理IP，以实现当前和未来的ARMCortex系列处理器在功耗、

简介：电子元器件小型轻量化与高功能化要求，促使集成电路实行堆叠式多芯片封装(MCP)。日本NEC开发了挠性载板的折叠式芯片尺寸封装，称为FFCSP。本文叙述了FFCSP开发背景，FFCSP的特征和构造。详细叙述了采用超声波进行倒芯片连接的FFCSP可靠性评价。在实验方法中确定了FFCSP的产品规格，FFCSP的工艺流程，

简介：高性能信号处理解决方案供应商AnalogDevices,Inc．（ADI）近日宣布，公司人选汤森路透2013全球最具创新力企业100强SM项目全球百家创新企业。该汤森路透奖项基于专有数据和分析工具，选出那些在创新方面居于全球领先地位的企业和组织。这是ADI公司连续第三年获此殊荣。

简介：软硬实力的结合是企业的前进的动力。本文在企业软实力方面进行了必要的探讨.企业的软实力不仅仅是在口号上,而且还要使每一个员工在思想上得到认同、在日常行动上有所落实,只有这样,才能使企业软硬实力相得益彰,柔刚相济,促进企业良性发展!

简介：我国最后一个待开发的大河三角洲——黄河三角洲将迎来开发热潮，继今年4月山东省出台《黄河三角洲高效生态经济区发展规划》之后，山东省又将出台《支持黄河三角洲高效生态经济区又好又快发展的意见》，这两份文件明确了黄河三角洲开发建设的方向及扶持措施。

简介：为了支持中小微企业发展，7月6日，广东省政府正式出台《广东省人民政府关于创新完善中小微企业投融资机制的若干意见》（以下简称《意见》），《意见》从平台建设、政府基金支持、增信支撑、间接融资、直接融资、创新融资工具、政府服务等7个方面提出18条措施。

简介：“泉州芯谷”南安园区三安高端半导体项目近日正式开工建设。泉州市委书记郑新聪带队到现场检查开工建设情况。据了解，全面启动的三安高端半导体项目，投资总额333亿元（含公共配套设施投资），是在国家集成电路产业投资基金和华芯投资管理公司的帮助支持下，落户“泉州芯谷”南安园区的首个百亿元龙头项目。项目包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目，高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目，大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目等七大产业集群，预计全部项目五年内投产，七年内达产。

简介：采用0．18μmCMOS工艺设计了一款应用在无线传网中的三阶级联有源Rc复数带通滤波器，同时设计了自动频率调谐电路（AFT）。该滤波器采用的是切比雪夫逼近函数予以实现。在5比特数字控制码开关电容阵列的控制下，AFT电路即可完成对主体滤波器电路频率变化的校正。仿真结果显示，滤波器的中心频率稳定在2MHz，通带带宽为2MHz，镜像抑制比大于34dB，相邻信道阻带衰减大于34dB，通带纹波小于1dB，消耗电流为2．3mA，工作电源电压为1．8V。

简介：三星电子日前宣布，公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。