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简介：英商ARM公司与TSMC于10月18日共同宣布,已顺利完成首件采用20nm工艺技术生产的ARMCortex-A15处理器设计定案（TapeOut）。藉由TSMC在开放创新平台上建构完成的20nm设计生态环境,双方花费六个月的时间即完成从缓存器转换阶层（RTL）到产品设计定案的整个设计过程。

简介：ARM公司近日在IEEESOI会议上发布了一款绝缘体上硅(SOI)45纳米测试芯片的测试结果。测试结果表明,相较于采用传统的体效应工艺(bulk

简介：无线射频识别（RadioFrequencyIdentification,RFID）技术作为新一代识别技术的代表,近年来发展迅猛。随着RFID技术的深入发展和应用,RFID系统的中枢和核心组成部件的中间件成为了研究的热点。RFID中间件是连接底层设备和上层应用的桥梁,可以实现RFID读写器与企业应用的连接。嵌入式RFID中间件构架于嵌入式系统的弱计算环境中,它有别于运行在一般计算机上的软件中间件,而是在嵌入式系统上实现RFID中间件功能,使中间件可以用于各种系统集成。

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：从火控雷达抗反辐射导弹的迫切需求出发,基于雷达组网理论,提出了组网火控雷达间歇辐射抗反辐射导弹方法;对非相干两点源干扰单脉冲雷达测角理论进行拓展分析,提出了两点源或多点源间歇辐射对反辐射导弹的闪烁诱偏方法;建立了反辐射导弹攻击效果评估模型,在设定的仿真背景下,对不同来袭方向的反辐射导弹的闪烁诱偏过程进行了仿真。结果表明,对于不同来袭方向的反辐射导弹,通过调整雷达的组网形式可以获得最佳的对抗效果。

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简介：<正>Rockwell公司新推出满足L和S波段功率需求的大功率晶体管及50ohm匹配功放模块。MESFETRF晶体管T4200将从基带至S频段提供25W的连续波输出功率。L1700功放模块提供35W的连续波功率。它专为950～1500MHz:频率范围设计,功率增益为10dB.通过与

简介：AT&T官员说，AT&T将在第四季度使用pre-WiMAX设备，在亚特兰大开展无线宽带接入试验。AT&T接入产品管理副总裁斯福德布朗说，经过最初在米德尔顿开展小型试销市场后，AT&T根据顾客的建议和反馈，将在亚特兰大郊区和市区启动四个商用试验网络，以此来评估技术试验。

简介：TherehavebeenseveralmethodsfordeterminingTwave-end.ButnoneofthemcanovercomethedifficultyfrommultiformityofECGsignalpattern.Inthispaper,amethodfordeterminingTwave-endusingevolutionaryalgorithm(EA)isproposed.Inthisway,first,everycharacteristicparameterrelatedtoTwave-endisencodedtoastringofcodes,andadaptationfunctionisconstructedwiththestringofcodes.Thenchoosetheindividualaccordingtotheadaptationfunctionvalueanddogeneticoperation(reproduction,crossoverandmutation),soastoproduceoffspringwithmoreadaptationfunctionvalue.BecauseofEA'sautoadaptationandautoorganizationcharacter,itcantraceECGsignaltypeandfindtheTwave-endautomatically.ExperimentresultsshowthattheerrorratioofrecognizingTwave-endusingthismethodismuchsmallerthanthatusingexistingmethod.

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简介：移动电信运营商T-Mobile和诺基亚已经签定了协议，由诺基亚向T-Mobile在德国、挪威和英国提供HSDPA解决方案。

简介：T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化。针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证。将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

简介：10月22日，BTOpenzone和T—MobileUS宣布一项协议，将相互为对方的用户提

简介：<正>据报道,达方电子在既有高频通信组件的基础下,用两年时间自行开发完成了GSM/DCS双频及GSM/DCS/PCS三频天线T/R开关模块。该模块尺寸为5.4mm×4.0mm,为目前世界中最小尺寸。双频T/R模块已通过中国手机大厂认证,并小量交货,2003年底出货100万枚。三频T/R模块目前正在与国内

简介：一个微软服务传输平台可能会改变整个服务市场。

简介：<正>据《Jpn.J.Appl.Phys》2005年第16期报道,日本情报通信研究中心成功研制了毫米波大功率GaN异质结场效应管。研究小组在蓝宝石衬底上通过RF-MBE生长了高Al组分和具有超薄Al-GaN势垒层的AlGaN/GaN异质结构,使其获得很大的二维电子气浓度。有效地抑制了沟道阻抗,栅长为60nm的短栅器件,电流增益截止频率fT为152GHz,最大振荡频率fmax为173GHz。

简介：封装是T/R开关的关键环节。开关封装失效主要包括外壳失效和LTCC基板失效。为了避免T/R开关失效,利用ANSYS14.0对封装进行模态仿真及加速度瞬态仿真,找出开关封装的加速度响应值以及受到应力时的频率特性,并通过随机试验和半正弦冲击试验验证仿真结果,验证封装可靠性。试验结果表明,目前的T/R开关封装可以保证组件能够承受40g以上的加速度冲击和振动。

简介：T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

简介：主要针对某款C波段大功率T/R组件的小型化进行研究。通过对T/R组件的电路与结构的分析与设计,制作了发射功率大于100W、接收通道增益大于8dB、体积90mm×80mm×37mm的T/R样机,该项研究对高功率密度T/R组件的设计与研制具有一定的工程指导意义。