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10 个结果
  • 简介:FPGA已经被广泛用于实现大规模的数字电路和系统,随着CMOS工艺发展到深亚微米,芯片的静态功耗已成为关键挑战之一。文章首先对FPGA的结构和静态功耗在FPGA中的分布进行了介绍。接下来提出了晶体管的漏电流模型,并且重点对FPGA中漏电流单元亚阈值漏电流和栅漏电流进行了详细的分析。最后根据FPGA的特点采用双阈值电压晶体管,关键路径上的晶体管采用低闽值电压栅的晶体管,非关键路径上的晶体管采用高阈值电压栅的晶体管,以此来降低芯片的静态功耗。

  • 标签: FPGA 亚阈值漏电流 布线开关 双阈值电压
  • 简介:基于在软件开发过程中有很多静态缺陷函数检测方法与工具都具有局限性,且对软件开发后期的黑盒测试关联不大,文中提出了一种在软件开发早期运用的静态缺陷函数检测框架,该框架不仅可以解决静态分析工具误报的问题,还可以为后期的安全性黑盒测试提供数据流约束,为自动生成数据流提供有效支持。

  • 标签: 静态分析 软件缺陷检测 软件缺陷验证 软件测试
  • 简介:在研究静态随机存储器故障模型以及常用功能验证方法的基础上,提出采用MarchSOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储器的验证方法。该方法将MarchSOF算法扩展为32位字定向算法,同时增加数据保持故障以及EDAC功能的测试,可以对宇航用SRAM进行全方位功能验证。采用实际电路,对该方法进行实现和验证,验证结果表明了方法的可行性和有效性。

  • 标签: 静态随机存储器SRAM 错误检测与纠正EDAC 功能验证 MARCH算法
  • 简介:通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件(即增加基区结深),使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

  • 标签: 功放电路 静态电流 电源电压 基区结深 厄利电压
  • 简介:<正>半导体行业由盛转衰的论调不断出现,很多专家预测"摩尔定律的终结"即将到来。让我们来看看过去四十年间驾驭着半导体行业的这个定律相关的一些情况。摩尔相信半导体相关的科学进步对经济发展至关重要。因为半导体在工业、政府、国防领域的应用范围极广。他认为这取决于科学发展步伐与生产更强

  • 标签: 摩尔定律 晶圆厂 功率晶体管 生产成本 硅芯片 经济发展
  • 简介:在SMT制造过程中相当多的企业会碰到立碑现象,特别是在无铅工艺技术应用后,由于无铅锡膏的浸润性变差,这种现象更为突出,工程师们在解决这个问题时方法各异,众多SMT技术论坛有非常多的技术人员在寻找解决方法,为有效解决这种现象,现从力学的观点来具体阐述。

  • 标签: 力矩平衡 无铅器件 立碑
  • 简介:2003年11月14日的这次会议由国家信息化专家咨询委员会委员、赵小凡主持,参会代表有中国电子学会常务理事郭诚忠、信息技术专家徐如镜、中国信息协会常务副会长高新民、卫生部信息化工作领导小组办公室副主任高燕婕、北京大学遥感与GIS研究室教授李琦、国家科技图书文献中心主任袁海波、中国科技情报学会理事长刘昭东、北京大学图书馆管理中心副主任陈凌、国家广电总局数据广播中心副主任杨健雄、首都图书馆副馆长爱新觉罗·常林等共25人。

  • 标签: 政府信息公开 信息资源 教育信息 公益性服务 信息管理体制 政府行为